Vishay推出新型650V SiC肖特基二极管，提升高频应用能效
器件额定电流4 a~40 a，采用mps结构设计，降低开关损耗和温变影响
宾夕法尼亚、malvern — 2021年1月28日 — 日前，vishay intertechnology， inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出十款新型650 v 碳化硅（sic）肖特基二极管。vishay semiconductors器件采用混合pin schottky（mps）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。
日前发布的mps二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场，减少漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比，新型二极管处理电流相同的情况下，正向压降仅略有上升，坚固程度明显提高。
器件适用于服务器、电信设备、ups和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正（pfc）续流、升降压续流和llc转换器输出整流，为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2l to-220ac和to-247ad 3l封装，额定电流为4 a~40 a，可在+175 °c高温下工作。
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