注意!设计高能效 AC-DC 电源不再需要 MCU

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电网因为诸多原因而被设计成交流电,但几乎每台设备都需要直流电才能运行。因此,ac-dc 电源几乎无处不在,随着环保意识的加强和能源价格的上涨,此类电源的效率对于降低运行成本和合理利用能源至关重要。简单地说,效率就是输入功率与输出功率之比。但是,必须要考虑输入功率因数 (pf),即所有 ac 供电设备(包括电源)的有用(实际)功率与总(视在)功率之比。
对于纯阻性负载,pf 将为 1.00(“单位”),但随着视在功率的升高,无功负载会降低 pf,从而导致效率降低。小于 1 的 pf 由异相电压和电流引起,在开关型电源 (smps) 等不连续电子负载中常常会出现谐波含量高或电流波形失真的情况。
pf校正考虑到低 pf 对效率的影响,当功率水平高于 70w 时,法规要求设计人员通过电路将 pf 校正到接近 1。通常,有源 pf 校正 (pfc) 采用升压转换器,将整流电源转换为高直流电平。然后使用脉宽调制 (pwm) 或其他技术对该电源轨进行调节。
此方法通常有效且易于部署。然而,如今有关效率的诸多要求,如具有挑战性的“80+ titanium标准”,规定了整个宽工作功率范围内的效率,要求半负载时的峰值效率需达到 96%。这意味着线路整流和 pfc 级必须达到 98%,因为接下来的 pwm dc-dc 将会进一步损耗 2%。要做到这一点非常难,因为桥式整流器中的二极管也会出现损耗。
用同步整流器替换升压二极管会有所帮助,或者,也可以更换两个线性整流二极管,以进一步提高效率。这种拓扑结构被称为图腾柱 pfc (tppfc),理论上,使用理想的电感和开关,效率将会接近 100%。虽然硅 mosfet 具有良好的性能,但宽禁带 (wbg) 器件的性能更接近“理想”水平。
图 1:简化的图腾柱 pfc 拓扑结构
处理损耗随着设计人员不断增加频率以减小磁性组件的尺寸,开关器件的动态损耗也随之增加。由于硅 mosfet 的这些损耗可能很大,设计人员正转而考虑使用 wbg 材料,其中包括碳化硅 (sic)和氮化镓 (gan),特别是对于 tppfc 应用。
临界导通模式 (crm) 通常是功率水平高达几百瓦的 tppfc 设计的首选方法,它可以平衡效率和 emi 性能。在千瓦级设计中,连续导通模式 (ccm) 可进一步降低开关内的 rms 电流,从而减少导通损耗。
图 2:典型 pfc 电路:传统升压(左)和无桥图腾柱(右)
即使是 crm,在轻载下的效率也会下降近10%,不利于实现“80+ titanium标准”。箝位(“折返”)最大频率迫使电路在轻载下进入 非连续导通模式(dcm),从而显著降低峰值电流。
解决设计复杂性由于需要同步驱动四个有源器件,并且需要检测电感的零电流交越以强制 crm,因此 tppfc 设计绝非易事。此外,电路必须能够切换进/出 dcm,同时保持一个高功率因数并生成一个 pwm 信号来调节输出,并且提供电路保护(例如过流和过压)。
要解决这些复杂难题,最显而易见的方法是部署微控制器 (mcu) 来执行控制算法。但这需要生成和调试代码,反而会增加设计的工作量和风险。
基于 crm 的 tppfc 无需编码不过,使用完全集成的 tppfc 控制方案就可以免去费时的编码工作。这些器件具有多种优势,包括高性能、更短的设计时间和更低的设计风险,因为它们不再需要部署 mcu 和相关代码。
安森美 (onsemi) 的 ncp1680 混合信号 tppfc 控制器就是这类器件的典范,它可以在具有恒定导通时间的 crm 下工作,确保在整个宽负载范围内带来出色的效率。该集成器件在轻载下具有频率折返“谷底开关”功能,可通过在最低电压下进行开关操作来提高效率。数字电压控制环路经过内部补偿,可优化整个负载范围内的性能,同时能够确保设计过程仍简单。
图 3:ncp1680 混合信号 tppfc 控制器
这款创新的 tppfc 控制器采用新颖的低损耗方法进行电流检测和逐周期限流,无需外部霍尔效应传感器即可提供出色的保护,从而降低复杂性、尺寸和成本。
图 4:ncp1680 典型应用原理图
全套控制算法都嵌入在该 ic 中,为设计人员提供了低风险、经过试用和测试验证的方案,以高性价比实现高性能。
点击“阅读原文”可观看使用 300 w 图腾柱无桥 pfc 和 llc 电源应对超高密度设计挑战,了解 ncp1680 的更多信息。
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原文标题:注意!设计高能效 ac-dc 电源不再需要 mcu
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