SiC pn结正向压降为何比硅的高呢？
pn结正向压降为何是负的温度系数呢？
pn结的正向压降vbi公式如下：
其中本征载流子浓度ni随温度升高而急剧增大，导致vbi随温度升高而减小，呈现负的温度系数。
sic pn结正向压降为何比硅的高呢？
pn结的正向压降vbi公式如下：
其中本征载流子浓度ni公式如下：
sic材料的禁带宽度eg大（sic：3.26ev，si：1.12ev），因此ni远小于si（sic：5e-9/cm3，si：9.65e9/cm3），导致vbi大。
小江进行了简单的计算，对比曲线如下：
可知sic pn结vbi约3.0v（蓝线），远大于si的约0.7v（红线）。
与mos不同，igbt高温/常温输出特性曲线为何有交点？
原因为mos导通电压由沟道、漂移区等组成（温度系数为正，主要原因为随温度升高迁移率减小），无交点。而igbt导通电压由沟道、漂移区等其他部分（温度系数为正）和pn结电压（温度系数为负）组成，于是出现交点。
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pn结的正向压降vbi公式如下：
其中本征载流子浓度ni随温度升高而急剧增大，导致vbi随温度升高而减小，呈现负的温度系数。
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pn结的正向压降vbi公式如下：
其中本征载流子浓度ni公式如下：
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