什么是内存颗粒封装
什么是内存颗粒封装
颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。
随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多种多样，有dip、pofp、tsop、bga、qfp、csp等等，种类不下三十种，经历了从dip、tsop到bga的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便。
dip封装
上个世纪的70年代，芯片封装基本都采用dip（dual ln-line package，双列直插式封装）封装，此封装形式在当时具有适合pcb（印刷电路板）穿孔安装，布线和操作较为方便等特点。dip封装的结构形式多种多样，包括多层陶瓷双列直插式dip，单层陶瓷双列直插式dip，引线框架式dip等。但dip封装形式封装效率是很低的，其芯片面积和封装面积之比为1：1.86，这样封装产品的面积较大，内存条pcb板的面积是固定的，封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同时较大的封装面积对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想状态下芯片面积和封装面积之比为1：1将是最好的，但这是无法实现的，除非不进行封装，但随着封装技术的发展，这个比值日益接近，现在已经有了1：1.14的内存封装技术。
tsop封装
tsop封装内存
bga封装
20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，i/o引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，bga封装开始被应用于生产。bga是英文ball grid array package的缩写，即球栅阵列封装。
采用bga技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，bga与tsop相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。bga封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用bga封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有tsop封装的三分之一；另外，与传统tsop封装方式相比，bga封装方式有更加快速和有效的散热途径。
csp封装
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tsop封装内存
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20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，i/o引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，bga封装开始被应用于生产。bga是英文ball grid array package的缩写，即球栅阵列封装。
采用bga技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，bga与tsop相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。bga封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用bga封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有tsop封装的三分之一；另外，与传统tsop封装方式相比，bga封装方式有更加快速和有效的散热途径。
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