S参数去嵌之DK DF值拟合方案流程与仿真测试拟合过程
dk df值拟合方案流程
1 走线l1 s参数测量(注意l1的长度要大于校准线的长度，方便我们取长度差)
2 2x校准线s参数测量
3 搭建测试去嵌的电路，求出差值长度的s参数
4 利用仿真软件搭建差值长度仿真模型
5 改变仿真结构模型的dk，df值与测试去嵌得到的s参数进行插损与相位的拟合，得到拟合后的dk 与df值
6 将得到的dk与df值带入到我们设计的pcb实际模型中进行验证（仿真对应测试的l1走线及校准线）
7 搭建仿真去嵌的电路，求出差值长度的s参数（验证拟合的dk及df值是否跟测试结果一致，需要去除其他如sma连接器不准确性带来的影响）
8 对比仿真的差值s参数与测试的差值s参数的区别，两者的插损回损是否一致
仿真测试拟合过程
1 测试l1及校准线的s参数，设计校准线长度为1500mil，带两个sma连接器，测试时测试仪器及线缆进行去嵌校准，测试结果如下：
其中s21为校准线，s43为line1 的插损曲线
2 搭建测试去嵌的电路，求出差值长度的s参数
对于走线的拟合，我们需要将sma头的影响去除掉，因为做校准件的时候需要将对应的部分去嵌掉，这个就是我们需要做2x校准线及不同长度line走线的目的。以期望最大限度的得到dut的参数。
说明：在做测试去嵌电路前，我们需要将2x的s参数分为左右两个部分，这里需要通过plts软件来协助（或者用afr去嵌后的line1参数，为了可以跟仿真数据进行对比，我们转了s参数）
转后的s参数通过级联跟未转后的s参数进行对比，如下为s参数级联的拓扑结构
级联后的s参数与原s参数进行对比波形如下：
其中 s34为原未拆分s参数，s56为拆分后合并的s参数，由结果可以看到，拆分合并后，s参数跟未拆分的s参数高度一致，因此拆分的校准s参数正确无误。
搭建测试去嵌电路如下
得到line1去嵌后的s参数如下：
3 利用仿真软件搭建差值长度仿真模型,
line1与2x thru线差值长度为3139.2mil，因此用仿真软件搭建一根长3139.2mil的传输线如下
4 改变仿真结构模型的dk，df值与测试去嵌得到的s参数进行插损与相位的拟合，得到拟合后的dk 与df值如下：
ro4350 拟合dk值为3.66，拟合df值为0.01
绿油层厚度为1mil
拟合dk值为4.1，拟合df值为0.015
拟合后的仿真曲线与测试曲线对比如下：
5 将得到的dk与df值带入到我们设计的pcb实际模型中进行验证（仿真对应测试的l1走线及校准线）
6 搭建仿真去嵌的电路，求出差值长度的s参数（验证拟合的dk及df值是否跟测试结果一致，需要去除其他如sma连接器不准确性带来的影响）
7 对比仿真的差值s参数与测试的差值s参数的区别，两者的插损回损是否一致
由结果可以看到，带入拟合后的dk df后，仿真得到的s参数与测试得到的s参数拟合度也比较高。
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1 测试l1及校准线的s参数，设计校准线长度为1500mil，带两个sma连接器，测试时测试仪器及线缆进行去嵌校准，测试结果如下：
其中s21为校准线，s43为line1 的插损曲线
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说明：在做测试去嵌电路前，我们需要将2x的s参数分为左右两个部分，这里需要通过plts软件来协助（或者用afr去嵌后的line1参数，为了可以跟仿真数据进行对比，我们转了s参数）
转后的s参数通过级联跟未转后的s参数进行对比，如下为s参数级联的拓扑结构
级联后的s参数与原s参数进行对比波形如下：
其中 s34为原未拆分s参数，s56为拆分后合并的s参数，由结果可以看到，拆分合并后，s参数跟未拆分的s参数高度一致，因此拆分的校准s参数正确无误。
搭建测试去嵌电路如下
得到line1去嵌后的s参数如下：
3 利用仿真软件搭建差值长度仿真模型,
line1与2x thru线差值长度为3139.2mil，因此用仿真软件搭建一根长3139.2mil的传输线如下
4 改变仿真结构模型的dk，df值与测试去嵌得到的s参数进行插损与相位的拟合，得到拟合后的dk 与df值如下：
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拟合dk值为4.1，拟合df值为0.015
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由结果可以看到，带入拟合后的dk df后，仿真得到的s参数与测试得到的s参数拟合度也比较高。
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