英飞凌推出两款分别具有1Mbit和4Mbit存储密度的新型F-RAM存储器
汽车事件数据记录系统（edr）市场的不断发展正在推动专用数据记录存储设备的需求，这些设备能够即时捕获关键数据并可靠地存储数据长达数十年。
近日，英飞凌科技进一步扩展其excelon f-ram存储器产品，推出两款分别具有1mbit和4mbit存储密度的新型f-ram存储器。全新1mbit excelon f-ram是业内首款车规级串行f-ram存储器。
这两款新品已通过aec-q100 1级认证，支持更宽泛的温度范围（-40°c 至+125°c ），补充了存储密度从4kbit到16mbit不等的车规级f-ram存储器产品组合。
它们均具有快速且高度可靠的读/写性能，在spi模式和quad spi（qspi）模式下的读写性能分别高达50 mhz和108 mhz。
此外，这些存储器具有10万亿次读写周期，能够支持以10微秒间隔进行数据记录长达20年。
英飞凌科技ram解决方案副总裁ramesh chettuvetty表示：“随着电子系统的广泛应用，以及行业法规鼓励在安全气囊系统及发动机控制和电池管理系统中使用高可靠非易失性存储器，汽车系统中的数据记录需求正在迅速增长。需要记录数据的应用数量不断增加，根据特定用例定制存储密度的需求也随之增长。英飞凌致力于帮助客户灵活满足各类系统设计对存储器架构的要求。”
excelon f-ram存储器具有零延迟写入功能，可以持续捕获并记录数据，直到事故或其他用户定义的触发事件发生前的最后一瞬间。
这两款新品采用串行（spi/qspi）接口，具备f-ram存储器的超低功耗特性，工作电压范围为1.8 v至3.6 v，并采用标准的8引脚soic封装。
半导体科技公司英飞凌的f-ram存储器除了具有出色的耐用性外，还可在断电后保存数据超过100年。
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这两款新品采用串行（spi/qspi）接口，具备f-ram存储器的超低功耗特性，工作电压范围为1.8 v至3.6 v，并采用标准的8引脚soic封装。
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