cmos反相器的输出特性
cmos反相器输出特性
反相器的意思就是“反转”，是将输入的信号电平反转输出的电路。图10.5是将mos晶体管置换为开关的反相器电路。就是说p沟/n沟mos晶体管承担这个开关的任务。
1．vin＝vss的场合
n沟mos晶体管的vgs为ov，处于off状态。p沟mos晶体管的衬底与vdd等电位，所以等效地vgs为vdd，处于on状态。所以作为反相器来说，n沟mos晶体管off时只有漏电流（几乎为零）流动，如图10. 6（a）所示，输出电压vout除非不取出电流，否则几乎与vddr等电压。
2．vin＝vdd的场合
p沟mos晶体管off，n沟mos晶体管on，p沟mos晶体管off时只有漏电流。所以，输出电压vout如图10. 6（b）所永，接近vss的电位。
3．vss《vin《vtn的场合
其特性与vin=vss的场合大致相同。
4．（vdd-｜vtp｜）《vin《vdd的场合
其特性与vin=vdd的场合大致相同。
5，vtn≤vin≤（vdd -｜vtp｜）的场合
这时，p沟mos晶体管与n沟mos晶体管的阻抗的大小逆转，反相器的输出处于从“h”变化为“l”的过渡点。把这时的输入电压叫做逻辑阈值电压或者电路
阈值电压。
这期间，n沟mos晶体管与p沟mos晶体管都处于on状态，n沟mos晶体管中，vds= voutvgs= vin
同样地，p沟mos晶体管中，
vds=vout-vdd
vgs=vin-vdd
因而n沟mos晶体管与p沟mos晶体管在饱和区中ids的表达式分别变形为
下式：
—ids=kp（vin-vdd-｜vtp｜）2 （10.1）
ids=kn（vin-｜vtn|）2 （10. 2）
cmos反相器概述 反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。cmos反相器电路由两个增强型mos场效应管组成。典型ttl与非门电路电路由输入级、中间级、输出级组成。
cmos反相器工作原理
（1）工作原理
①输入低电平 ui=0 时
vn截止， vp导通 uo≈vdd
②输入高电平， ui = +udd
vn导通， vp截止 uo≈0v
（2）电压传输特性
（截止区） ab：ui《vtn vn截止、 vp导通。
（导通区） cd：ui》vdd-vtp vn 导通、vp 截止。
（转折区） bc：阈植电压：uth =1/2udd 若vi=uth=1/2udd 则id达最大。
（3）输入保护电路
图2 输入保护电路
（4）功耗
①静态：总是一管导通一管止，漏电流很小，功耗小，只有几微瓦（ttl静态功耗单位 mw）。
②动态：转换是电流大，（若工作频率高，功耗 mw左右）。
（5）cmos的特点
①微功耗小； ②对电源电压适应性强（3---18v）；③抗干扰能力强； ④带负载能力强（扇出系数大于100以上）。
云途完成数亿元A+轮融资，打造全系列高端车规芯格局
LV1116音频处理芯片各引脚功能及电压
新美国安全中心：理解中国的人工智能战略
ADI和Microsoft为3D成像启用飞行时间技术
儒卓力解决方案：适用于紧凑型电机控制单元的车规级硬件
cmos反相器的输出特性
5G将助力工业互联网实现跨越式的发展
详解：基于FPGA的虚拟DPO设计
袖珍耳机放大器电路
如何防止电子变压器弄坏伺服驱动器？
激光测距望远镜TP320采用高透液晶显示，透光率达90%
怎样减少路径上的LUT个数使速度更快呢？
小米发布红米NOTE4X， 别喊错， 不叫红米4 PLUS！
5G的发展给中国铁塔带来了什么
中国示波器寻源录---仪器行业前浪访谈
Leap Motion 曝光 AR 头显 符合人体工程学
镁光公然诉讼联电窃取机密，估计价值达87.5亿美元
媒体报道｜德赛集团：40年从5个人到2万人 10年后剑指2000亿
三星将从LG集团采购液晶显示面板 首次成为合作伙伴关系
钡铼技术工业物联网智能网关BL110网口采集三菱Q系列PLC Q04UDEH教程
1．vin＝vss的场合
n沟mos晶体管的vgs为ov，处于off状态。p沟mos晶体管的衬底与vdd等电位，所以等效地vgs为vdd，处于on状态。所以作为反相器来说，n沟mos晶体管off时只有漏电流（几乎为零）流动，如图10. 6（a）所示，输出电压vout除非不取出电流，否则几乎与vddr等电压。
2．vin＝vdd的场合
p沟mos晶体管off，n沟mos晶体管on，p沟mos晶体管off时只有漏电流。所以，输出电压vout如图10. 6（b）所永，接近vss的电位。
3．vss《vin《vtn的场合
其特性与vin=vss的场合大致相同。
4．（vdd-｜vtp｜）《vin《vdd的场合
其特性与vin=vdd的场合大致相同。
5，vtn≤vin≤（vdd -｜vtp｜）的场合
这时，p沟mos晶体管与n沟mos晶体管的阻抗的大小逆转，反相器的输出处于从“h”变化为“l”的过渡点。把这时的输入电压叫做逻辑阈值电压或者电路
阈值电压。
这期间，n沟mos晶体管与p沟mos晶体管都处于on状态，n沟mos晶体管中，vds= voutvgs= vin
同样地，p沟mos晶体管中，
vds=vout-vdd
vgs=vin-vdd
因而n沟mos晶体管与p沟mos晶体管在饱和区中ids的表达式分别变形为
下式：
—ids=kp（vin-vdd-｜vtp｜）2 （10.1）
ids=kn（vin-｜vtn|）2 （10. 2）
cmos反相器概述 反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。cmos反相器电路由两个增强型mos场效应管组成。典型ttl与非门电路电路由输入级、中间级、输出级组成。
cmos反相器工作原理
（1）工作原理
①输入低电平 ui=0 时
vn截止， vp导通 uo≈vdd
②输入高电平， ui = +udd
vn导通， vp截止 uo≈0v
（2）电压传输特性
（截止区） ab：ui《vtn vn截止、 vp导通。
（导通区） cd：ui》vdd-vtp vn 导通、vp 截止。
（转折区） bc：阈植电压：uth =1/2udd 若vi=uth=1/2udd 则id达最大。
（3）输入保护电路
图2 输入保护电路
（4）功耗
①静态：总是一管导通一管止，漏电流很小，功耗小，只有几微瓦（ttl静态功耗单位 mw）。
②动态：转换是电流大，（若工作频率高，功耗 mw左右）。
（5）cmos的特点
①微功耗小； ②对电源电压适应性强（3---18v）；③抗干扰能力强； ④带负载能力强（扇出系数大于100以上）。
云途完成数亿元A+轮融资，打造全系列高端车规芯格局
LV1116音频处理芯片各引脚功能及电压
新美国安全中心：理解中国的人工智能战略
ADI和Microsoft为3D成像启用飞行时间技术
儒卓力解决方案：适用于紧凑型电机控制单元的车规级硬件
cmos反相器的输出特性
5G将助力工业互联网实现跨越式的发展
详解：基于FPGA的虚拟DPO设计
袖珍耳机放大器电路
如何防止电子变压器弄坏伺服驱动器？
激光测距望远镜TP320采用高透液晶显示，透光率达90%
怎样减少路径上的LUT个数使速度更快呢？
小米发布红米NOTE4X， 别喊错， 不叫红米4 PLUS！
5G的发展给中国铁塔带来了什么
中国示波器寻源录---仪器行业前浪访谈
Leap Motion 曝光 AR 头显 符合人体工程学
镁光公然诉讼联电窃取机密，估计价值达87.5亿美元
媒体报道｜德赛集团：40年从5个人到2万人 10年后剑指2000亿
三星将从LG集团采购液晶显示面板 首次成为合作伙伴关系
钡铼技术工业物联网智能网关BL110网口采集三菱Q系列PLC Q04UDEH教程