疯了?内存价格降至冰点,美光却加紧扩大产能!
在本周早些时候与投资者和金融分析师召开的收益电话会议上，美光对其长期未来及对其产品的强劲需求表示了信心，该公司还概述了扩大产能的计划，并迅速转向更先进的工艺技术。
美光表示，“我们相信，受人工智能、自动驾驶汽车、5g和物联网等广泛的长期趋势驱动，记忆和存储的长期需求前景引人注目”美光公司首席执行官桑杰·梅赫特拉（sanjay mehrotra）说。“美光公司已准备好利用这些趋势，创新产品，快速响应的供应链，与全球客户建立良好关系。”
由于供应超过需求，近几个季度dram价格大幅下跌。为了降低成本并为内存的新应用的出现做好准备，dram制造商正在积极地转向更新的工艺技术。与此同时，虽然承认他们需要平衡dram的供需，但他们实际上已经制定了积极的产能扩张计划，因为他们需要更多的洁净室用于即将到来的制造技术。
美光公司在制造工艺方面拥有积极的路线图，现在又增加了4个10纳米级节点（总共6个10纳米级技术），该公司正在研究最终向极紫外光刻（euvl）的过渡。美光还在扩大其生产能力，以便为下一代应用生产下一代存储器，即为消费级准备32 gb内存模块，为服务器准备64 gb dimm。
本月早些时候，我们报道了美光的16 gb ddr4内存芯片，该芯片采用该公司的第二代10纳米级制造工艺（也称为1y nm）生产。这些dram芯片已经在用于威刚和英睿达的32 gb ddr4内存条中，这些产品也将不久后上市。
▲美光旗下英睿达的32gb单条内存
早在4月份，为了应对dram和新工艺技术需求的增加，美光存储***（前雷克斯光电半导体）新洁净室破土动工。
美光储存（***）早已在使用美光的第一代10纳米级制造技术（也称为1x nm）制造dram产品，并将在不久的将来直接进入第3代10纳米级工艺（又名1z nm） 。与此同时，去年美光在台中附近开辟了一个新的测试和包装设施，创造了世界上唯一的垂直集成dram生产设施之一。
此外，美光公司宣布计划在日本广岛附近的公厂内投入20亿美元用于新的洁净室。据报道，新的产能将用于制造美光13纳米工艺技术的dram。
总的来说，美光将拥有多个10纳米级节点。除了目前使用的第一代和第二代10纳米级工艺技术外，美光还计划推出至少四种10纳米级制造工艺：1z，1α，1β和1γ。
目前，美光公司正在生产第二代10纳米级制造工艺（即1y nm），包括该公司的12 gb lpddr4x以及16 gb ddr4存储器件。
该公司的下一代1z nm目前已获得客户的认可（即，他们正在测试使用该工艺生产的各种芯片），预计将在近期宣布，该技术将用于生产16 gb lpddr5存储器件以及ddr5存储器件。
继1z nm节点之后，美光计划开始使用其1αnm制造技术以获得更高的产量，这意味着它正处于后期开发阶段。之后是1βnm制造工艺，该工艺也是处于早期开发阶段。
美光没有说明在1γnm工艺之后是否会直接进入euv。该公司正在评估asml的twinscan nxe步进扫描功能以及使用极紫外光刻技术生产所需的其他设备，并正在评估这些工具何时可用于制造dram。
漏电保护器和空气开关是什么，具有什么区别
魅族16s或将搭载骁龙855并支持超声波指纹识别和解锁支付
铭瑄联合慧荣科技正式发布复仇者PCIe M.2系列SSD
怎样将iPhone的屏幕投至MacBook上
美国公布对大疆的337调查结果_337调查是什么意思
疯了?内存价格降至冰点,美光却加紧扩大产能!
拼多多回应APP远程删除照片：将对产品做改进
三十二路广播电视播出监控系统
分析ARM外设flash及SDRAM的地址连接
探索一下电磁波背后的故事
内核相关问题：kill init和内核结构的释放
iphone8什么时候上市?iphone8最新消息:iphone 8发布时间、外观确定,全面屏+后排竖列双摄,不买买买吗?
芯片制造全过程的简单描述
关于办理银行业务的介绍和便利分析
PMP7390的实例原理
【智能医疗】发挥人类想象力和创造力，如何实现智能医疗？
Sony半导体AI应用事业再扩大 6个半导体生产据点全面引入AI
步进电机控制器电路 Stepper Motor Contro
电脑无法识别的usb设备怎么解决
北京同志科技携敏捷制造设备亮相中国（成都）电子展
美光表示，“我们相信，受人工智能、自动驾驶汽车、5g和物联网等广泛的长期趋势驱动，记忆和存储的长期需求前景引人注目”美光公司首席执行官桑杰·梅赫特拉（sanjay mehrotra）说。“美光公司已准备好利用这些趋势，创新产品，快速响应的供应链，与全球客户建立良好关系。”
由于供应超过需求，近几个季度dram价格大幅下跌。为了降低成本并为内存的新应用的出现做好准备，dram制造商正在积极地转向更新的工艺技术。与此同时，虽然承认他们需要平衡dram的供需，但他们实际上已经制定了积极的产能扩张计划，因为他们需要更多的洁净室用于即将到来的制造技术。
美光公司在制造工艺方面拥有积极的路线图，现在又增加了4个10纳米级节点（总共6个10纳米级技术），该公司正在研究最终向极紫外光刻（euvl）的过渡。美光还在扩大其生产能力，以便为下一代应用生产下一代存储器，即为消费级准备32 gb内存模块，为服务器准备64 gb dimm。
本月早些时候，我们报道了美光的16 gb ddr4内存芯片，该芯片采用该公司的第二代10纳米级制造工艺（也称为1y nm）生产。这些dram芯片已经在用于威刚和英睿达的32 gb ddr4内存条中，这些产品也将不久后上市。
▲美光旗下英睿达的32gb单条内存
早在4月份，为了应对dram和新工艺技术需求的增加，美光存储***（前雷克斯光电半导体）新洁净室破土动工。
美光储存（***）早已在使用美光的第一代10纳米级制造技术（也称为1x nm）制造dram产品，并将在不久的将来直接进入第3代10纳米级工艺（又名1z nm） 。与此同时，去年美光在台中附近开辟了一个新的测试和包装设施，创造了世界上唯一的垂直集成dram生产设施之一。
此外，美光公司宣布计划在日本广岛附近的公厂内投入20亿美元用于新的洁净室。据报道，新的产能将用于制造美光13纳米工艺技术的dram。
总的来说，美光将拥有多个10纳米级节点。除了目前使用的第一代和第二代10纳米级工艺技术外，美光还计划推出至少四种10纳米级制造工艺：1z，1α，1β和1γ。
目前，美光公司正在生产第二代10纳米级制造工艺（即1y nm），包括该公司的12 gb lpddr4x以及16 gb ddr4存储器件。
该公司的下一代1z nm目前已获得客户的认可（即，他们正在测试使用该工艺生产的各种芯片），预计将在近期宣布，该技术将用于生产16 gb lpddr5存储器件以及ddr5存储器件。
继1z nm节点之后，美光计划开始使用其1αnm制造技术以获得更高的产量，这意味着它正处于后期开发阶段。之后是1βnm制造工艺，该工艺也是处于早期开发阶段。
美光没有说明在1γnm工艺之后是否会直接进入euv。该公司正在评估asml的twinscan nxe步进扫描功能以及使用极紫外光刻技术生产所需的其他设备，并正在评估这些工具何时可用于制造dram。
漏电保护器和空气开关是什么，具有什么区别
魅族16s或将搭载骁龙855并支持超声波指纹识别和解锁支付
铭瑄联合慧荣科技正式发布复仇者PCIe M.2系列SSD
怎样将iPhone的屏幕投至MacBook上
美国公布对大疆的337调查结果_337调查是什么意思
疯了?内存价格降至冰点,美光却加紧扩大产能!
拼多多回应APP远程删除照片：将对产品做改进
三十二路广播电视播出监控系统
分析ARM外设flash及SDRAM的地址连接
探索一下电磁波背后的故事
内核相关问题：kill init和内核结构的释放
iphone8什么时候上市?iphone8最新消息:iphone 8发布时间、外观确定,全面屏+后排竖列双摄,不买买买吗?
芯片制造全过程的简单描述
关于办理银行业务的介绍和便利分析
PMP7390的实例原理
【智能医疗】发挥人类想象力和创造力，如何实现智能医疗？
Sony半导体AI应用事业再扩大 6个半导体生产据点全面引入AI
步进电机控制器电路 Stepper Motor Contro
电脑无法识别的usb设备怎么解决
北京同志科技携敏捷制造设备亮相中国（成都）电子展