三星新发布HBM2E存储芯片，其代号Flashbolt
（文章来源：泡泡网）
三星近日发布了代号为“flashbolt”的hbm2e存储芯片，hbm2e单颗最大容量为16gb，由8颗16gb的dram颗粒堆迭而成，单个封装可实现16gb容量，最高可提供3.2gbps的稳定数据传输速度。预计全新的hbm2e存储芯片将在今年上半年开始量产。
三星在2019年3月曾宣布成功研发了业界首款符合hbm2e规范的存储芯片hbm2e是hbm2的升级版标准，hbm2的最大数据传输速度可达2.4gbps，在此之前使用hbm2存储芯片的显卡包括有amd radeon vii及nvidia titan v，其中radeon vii的显存位宽为4096bit 、频宽最高可达1tb/s，至于titan v的显存位宽为3072bit、频宽也达到了653gb/s。
至于jedec(国际固态技术协会)最新发布的第三版hbm2e标准“jesd235c”，hbm2e存储芯片的电压依旧保持在1.2v，不过其针脚频宽提高到3.2gbps，较前一代2.4gbps的最大数据传输速度提升33%。按照jedec给出的设计规范，单die最大可达2gb、单堆迭12die能达到24gb的容量，将其配备在支持四堆迭的显示核心上，便可为显卡提供1.64tb/s的总频宽。
有意思的是，“jesd235c“标准中仅仅制定了正常工作状态的电压，并未对全新的hbm2e电压的做出任何的限制。因此，三星可以为自家的hbm2e存储芯片加入“超频”的特性，这样可以实现不小的提升空间，为显卡提供更高的频宽。
全新的hbm2e记忆体“flashbolt”采用三星1ynm制程工艺，单颗最大容量为16gb，由16gb的单die通过8层堆迭而成。三星官方介绍说，全新的“flashbolt”在频宽上面有比较明显的提升，在默认的3.2gbps下，单颗hbm2e就可以提供高达410gb/s的频宽，1秒内便可传输82部 full hd (5gb)全高清画质的影片。
至于三星内部测试自家全新的“flashbolt”存储芯片，在“超频”后可以达到最高4.2gbps的传输速率，频宽更高达538gb/s，比上代产品高出75%。按照三星官方的说法，全新的hbm2e存储芯片将会在今年上半年开始量产，特别适用于hpc高性能运算系统，并可帮助系统制造商及时改进其超级电脑、ai驱动的数据分析以及最新的图形系统。
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