mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。mos英文全称为metal-oxide-semiconductor,即金属-氧化物-半导体,描述了集成电路中的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极(gate)。
栅极(gate)是mos管三极中的一个,还有漏极(drain)和源极(source)。那如何区分它们呢,下面金誉半导体分别来介绍一下mos管三个极代表什么及其怎么判断三个极和方法。
总的来说,g极比较好认,
d极,不论是p沟道还是n沟道,是单独引线的那边;
s极,不论是p沟道还是n沟道,两根线相交的就是。
1.判断栅极g
mos驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如mos管的g信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,mos管发烧严峻,易热损坏mos管gs间存在一定电容,假如g信号驱动能力不够,将严峻影响波形跳变的时间。
将g-s极短路,选择万用表的r×1档,黑表笔接s极,红表笔接d极,阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为g极,由于它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判断源极s、漏极d
将万用表拨至r×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是s极,红表笔接d极。因为测试前提不同,测出的rds(on)值比手册中给出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通态电阻rds(on)
在源-漏之间有一个pn结,因此根据pn结正、反向电阻存在差异,可识别s极与d极。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管,rds(on)=3.2w,大于0.58w(典型值)。
管脚测定方法:
①栅极g的测定:用万用表r×100档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百ω),该两脚是d、s,第三脚为g。
②漏极d、源极s及类型判定:用万用表r×10kω档测d、s问正反向电阻,正向电阻约为0.2×10kω,反向电阻(5一∞)x100kω。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与g碰一下,然后回去再接原引脚,出现两种情况:
a.若读数由原来较大值变为0(0×10kω),则红表笔所接为s,黑表笔为d。用黑表笔接触g有效,使mos管d、s间正反向电阻值均为0ω,还可证明该管为n沟道。
b.若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触g,碰一下之后立即回到原脚,此时若读数为0ω,则黑表笔接的是s极、红表笔为d极,用红表笔接触g极有效,该mos管为p沟道。
如何快速判断mos管好坏与引脚性能
1、用10k档,内有15伏电池。可提供导通电压。
2、因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论n管或p管都很容易找出栅极来,否则是坏管。
3、利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便。但要放电时需短路管脚或反充。
4、大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断。
5、大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源。以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏。
如果对新拿到的不明mos管,可以通过测定来判断脚极,只有准确判定脚的排列,才能正确使用。
以上就是此次金誉半导体关于mos管封装引脚的内容分享,希望能对大家有所帮助。
胰岛素泵和便携式医疗设计的重要考虑因素
Sop8封装NVO40D芯片在扫码盒子上的应用
戴尔XPS132in1评测 翻转变形更加扩展使用场景
ABB新型流量计的推出,助力优化电动机车氢燃料的利用
半导体投资机构的逻辑和方向探讨
快速判断mos管封装引脚的三个极和它的好坏
最强大的人工智能系统 | NVIDIA DGX-2
凌力尔特LTC4079电池充电器的特点分析
工业显示器清洁要求及注意事项
主动夜视技术和被动夜视技术对比
全机器人的方向发展在大趋势和大方向上向着人工智能的方向发展?
基于PIC12C508单片机对灯光系统的控制
松下一体化摄像机已广泛应用于广电行业的各种环境拍摄
适用于高带宽系统的高速DAC
Tile或推出搭载UWB技术的跟踪器
iQOO Neo 855版评测 你值得拥有iQOO Neo 855版
KYC和AML在区块链去中心化中的应用
变频器专用进线电抗器的作用、特点及选择
雷军公布Redmi Note9 “湖光秋色”外观照
iOS11Bug不断,iOS10.3.2越狱已攻破!iOS11降级到iOS10.3.2的教程方法,附上描述文件