关于光刻技术的五大分类
光刻是通过一系列操作，除去外延片表面特定部分的工艺，在半导体器件和集成电路制作中起到极为关键的作用。
按照曝光方式光刻可分为接触式曝光、扫描投影式曝光、步进式曝光、步进式扫描曝光和电子束直写曝光。
接触式光刻
工作时晶片一般与掩模版相接触（或者有几微米的间隔），对准后一次性完成曝光。由于易污染掩模版和较低的分辨能力，一般适用于0.5 微米以上的工艺。
扫描投影式光刻
利用反射系统将图形投影到晶片表面，克服接触式光刻的问题。
步进式光刻
光源并不是一次把整个掩模上的图形投影在晶圆上，而是每次只曝光晶片的一部分，载有掩模的工件台沿着一个方向移动，等价于曝光系统对掩模做了扫描。
步进式扫描光刻
使用分布重复和扫描的办法对图形扫面。
电子束直写曝光
在几种曝光方式中，电子束曝光的分辨率最高，同时其还具有不需要制备掩模版等优点。但是由于其曝光原理的限制，这种曝光方式一般较慢，对工业级的大规模生产并不适用。
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利用反射系统将图形投影到晶片表面，克服接触式光刻的问题。
步进式光刻
光源并不是一次把整个掩模上的图形投影在晶圆上，而是每次只曝光晶片的一部分，载有掩模的工件台沿着一个方向移动，等价于曝光系统对掩模做了扫描。
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使用分布重复和扫描的办法对图形扫面。
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在几种曝光方式中，电子束曝光的分辨率最高，同时其还具有不需要制备掩模版等优点。但是由于其曝光原理的限制，这种曝光方式一般较慢，对工业级的大规模生产并不适用。
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