基于7nm打造的HBM3/DDR5内存技术参数公布
据报道，rambus首次公布hbm3/ddr5内存技术参数，最大的关注点在于都是由7nm工艺制造。7nm工艺被认为是极限，因为到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能，7nm是一项非常复杂的技术。
不是很懂这家公司，曾经的“专利流氓”rambus今天居然公开了ddr5内存和hbm3存储的技术参数。
报道称，rambus的规划显示，hbm3基于7nm工艺制造，带宽高达4gt/s，封装架构更加复杂。
按照单芯片1024bit位宽，速度就可以实现512gb/s到1tb/s，也就是比hbm2直接翻了两番。
至于ddr5内存，设计目标i/o带宽6.4gbps，总带宽51.2gb/s，频率4800~6400mhz，预取位数16bit，均比ddr4翻番。
其实在今年9月，rambus就号称在实验室搞定了第一块完整工况的ddr5验证产品，电压还只有1.1v。
然而，必须指出的是，至少在整个2018年，hbm3/ddr5的影子都不会见到，最快最快也需要2019年。
rambus到底是用ppt吓人还是真有几把刷子，那就不得而知了。只希望这种技术出来以后，不要再凭借专利去到处“咬人”，而且当年intel因为硬上rambus rdram被结结实实坑了一把。
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