GDDR6接口通道需要特殊的设计考虑
许多系统公司正在进行关于参与下一代 gddr6 dram 实施的设计讨论。与前几代 ddr 不同，这一代存在许多设计挑战，需要 soc 和系统设计人员仔细评估完整的 gddr6 内存接口，以实现成功的设计。
内存接口
gddr6 内存接口最适合描述为高速、高信号数、并行内存接口，它在需要高内存带宽和低延迟的应用中使用单端信号与 dram 内存进行通信。这里包括汽车 adas、图形/gpu、数据中心和 ai/机器学习等应用。
该存储器接口通道是从控制器 phy 到 dram 接收器的数据路径。它由控制器 bga 封装、pcb 和接收器封装组成。许多与通道有关的设计因素会显着影响信号完整性。本文讨论了一些关键的设计注意事项。
控制器 bga 封装依赖于倒装芯片球栅阵列 （fc-bga） 封装，以实现更大的引脚密度和改善的供电寄生效应。实现更大的引脚密度，因为引脚可以排列在引脚间距低至 0.4 毫米的区域阵列中。
借助大量可用的封装引脚，可以将电源和接地路径并联到电路中，并减少这些电气路径穿过封装的电感。低电感路径显着改善了供电网络 （pdn） 寄生效应。
fc-bga 封装是一种多层层压结构，具有厚树脂芯、铜箔和介电层。介电层也称为封装中的堆积层，夹在铜箔之间。信号走线和电源层蚀刻在铜层上。
fc-bga 封装在核心中有两个导体层，在积层部分有四个导体层，称为 4-2-4 封装。倒装芯片 asic 通过焊球或铜柱连接到 bga。
gddr6 内存子系统使用单端信号以 16 到 20 gbps 的高数据速率移动数据。高数据速率下的信号完整性受导体和电介质的材料特性影响。fc-bga 和 pcb 中的介电材料吸收来自信号传输线的磁能并降低接收器处的信号强度。
信号损耗
信号损耗以分贝为单位，称为插入损耗。它可以简单地定义为接收端信号强度与发射端信号强度的比值。在设计 gddr6 fc-bga 时，需要通过减少通道长度和/或使用低损耗介电材料来最小化插入损耗。
在控制器封装中，可以在更小的封装中实现更小的通道长度。在 pcb 中，可以通过将 dram 封装尽可能靠近控制器封装来实现更小的通道长度。鉴于大多数汽车和消费类 pcb 系统的限制，通常可以将 pcb 通道限制在 30 毫米到 60 毫米之间。
低损耗介电材料可用于封装和 pcb。在封装的情况下，可以使用介电损耗低至 0.0044 的 ajinomoto 积层膜 （abf） 薄膜电介质。对于 pcb，可以使用介电损耗低至 0.002 的 megtron6。使用低损耗材料是降低通道插入损耗的有效方法。
使用 megtron6 等低损耗介电材料相对于标准 fr-4 介电材料的优势。对于在 pcb 上布线的 60 毫米通道，使用低损耗材料可将插入损耗降低 50% 以上，同时将通道长度从 60 毫米减少到 44 毫米。这对插入损耗有 10% 的改进。
趋肤效应
高速信号倾向于在导体表面传播。这种现象也称为趋肤效应。在 fc-bga 封装中，导体和电介质之间的界面通常不是很光滑，并且表面粗糙度会导致更高数据速率传输下的信号插入损耗增加。
表面粗糙度用度量ra量化，表示表面轮廓的算术平均值。最近的封装基板制造创新使得制造ra低至 250 nm 的基板成为可能。
当信号从发射器传输到接收器时，沿信号路径的任何阻抗差异都会导致信号反射（回波损耗）并影响接收器处信号眼图的质量。gddr6 通道中的典型信号路径包含许多组件，包括控制器封装、dram 封装和 pcb 中的 c4 凸块、微通孔、镀通孔通孔、bga 球和信号走线。
由于过孔钻孔尺寸和bga焊球尺寸等制造工艺限制，由过孔、c4凸块和bga焊球引起的阻抗不连续性难以控制。通常可以将信号走线阻抗与接收器和驱动器阻抗匹配，并最大限度地减少回波损耗以改善插入损耗。
由于通孔短截线的存在，pcb 中的电镀通孔通孔设计会导致信号插入损耗显着下降。可能需要通过反钻或在 pcb 中使用盲孔或埋孔来移除通孔短截线。
串扰
gddr6 phy 是一种数据并行接口，其中许多信号同时高速发送和接收数据。这些信号中的一些可以耦合到封装中的相邻信号并干扰相邻的接收器信号。这种现象称为串扰。
在封装基板中，当同一层上的信号走线彼此非常靠近时，或者当穿过核心的信号过孔彼此非常靠近时，就会发生这种情况。增加“攻击者”信号和“受害者”信号之间的间距是显而易见的解决方案。
然而，如果没有充分规划信号、asic 芯片凸块、bga 引脚和基板中的通孔的布局，这可能并不总是可行的。为了最大限度地减少过孔串扰，可能需要重新排列 bga 引脚，以便在多个干扰信号和受干扰信号之间有一个接地或电源引脚（返回路径）。
细间距 bga 封装可能会由于过孔彼此太近而产生额外的串扰。需要规划封装基板上的走线布线以管理布线密度，并且可能需要额外的布线层。
在 pcb 中，bga 引脚下的通孔会增加显着的串扰。重新排列具有足够隔离和返回路径的 bga 引脚有助于减少串扰。通孔可能需要反钻，以减少 bga 封装下方过孔中的信号耦合。使用盲孔和埋孔也可能是减少串扰的一种选择。
结论
在本专栏中，我们讨论了与缓解 gddr6 dram 实施将带来的挑战相关的几个设计注意事项和方法。特别是，保持信号完整性的重要性贯穿于整个接口通道。必须特别注意 gddr6 内存接口的每个阶段，才能成功处理信号完整性问题。
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该存储器接口通道是从控制器 phy 到 dram 接收器的数据路径。它由控制器 bga 封装、pcb 和接收器封装组成。许多与通道有关的设计因素会显着影响信号完整性。本文讨论了一些关键的设计注意事项。
控制器 bga 封装依赖于倒装芯片球栅阵列 （fc-bga） 封装，以实现更大的引脚密度和改善的供电寄生效应。实现更大的引脚密度，因为引脚可以排列在引脚间距低至 0.4 毫米的区域阵列中。
借助大量可用的封装引脚，可以将电源和接地路径并联到电路中，并减少这些电气路径穿过封装的电感。低电感路径显着改善了供电网络 （pdn） 寄生效应。
fc-bga 封装是一种多层层压结构，具有厚树脂芯、铜箔和介电层。介电层也称为封装中的堆积层，夹在铜箔之间。信号走线和电源层蚀刻在铜层上。
fc-bga 封装在核心中有两个导体层，在积层部分有四个导体层，称为 4-2-4 封装。倒装芯片 asic 通过焊球或铜柱连接到 bga。
gddr6 内存子系统使用单端信号以 16 到 20 gbps 的高数据速率移动数据。高数据速率下的信号完整性受导体和电介质的材料特性影响。fc-bga 和 pcb 中的介电材料吸收来自信号传输线的磁能并降低接收器处的信号强度。
信号损耗
信号损耗以分贝为单位，称为插入损耗。它可以简单地定义为接收端信号强度与发射端信号强度的比值。在设计 gddr6 fc-bga 时，需要通过减少通道长度和/或使用低损耗介电材料来最小化插入损耗。
在控制器封装中，可以在更小的封装中实现更小的通道长度。在 pcb 中，可以通过将 dram 封装尽可能靠近控制器封装来实现更小的通道长度。鉴于大多数汽车和消费类 pcb 系统的限制，通常可以将 pcb 通道限制在 30 毫米到 60 毫米之间。
低损耗介电材料可用于封装和 pcb。在封装的情况下，可以使用介电损耗低至 0.0044 的 ajinomoto 积层膜 （abf） 薄膜电介质。对于 pcb，可以使用介电损耗低至 0.002 的 megtron6。使用低损耗材料是降低通道插入损耗的有效方法。
使用 megtron6 等低损耗介电材料相对于标准 fr-4 介电材料的优势。对于在 pcb 上布线的 60 毫米通道，使用低损耗材料可将插入损耗降低 50% 以上，同时将通道长度从 60 毫米减少到 44 毫米。这对插入损耗有 10% 的改进。
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由于通孔短截线的存在，pcb 中的电镀通孔通孔设计会导致信号插入损耗显着下降。可能需要通过反钻或在 pcb 中使用盲孔或埋孔来移除通孔短截线。
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然而，如果没有充分规划信号、asic 芯片凸块、bga 引脚和基板中的通孔的布局，这可能并不总是可行的。为了最大限度地减少过孔串扰，可能需要重新排列 bga 引脚，以便在多个干扰信号和受干扰信号之间有一个接地或电源引脚（返回路径）。
细间距 bga 封装可能会由于过孔彼此太近而产生额外的串扰。需要规划封装基板上的走线布线以管理布线密度，并且可能需要额外的布线层。
在 pcb 中，bga 引脚下的通孔会增加显着的串扰。重新排列具有足够隔离和返回路径的 bga 引脚有助于减少串扰。通孔可能需要反钻，以减少 bga 封装下方过孔中的信号耦合。使用盲孔和埋孔也可能是减少串扰的一种选择。
结论
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