三星推车规级GDDR7，车载存储进入升级阶段
最近三星宣布将为车载应用提供专业的存储器解决方案，并推出了车规级gddr7 dram。gddr7此前是专为超高带宽的计算应用提供，比如高性能gpu等，最高支持128gb/s传输速率。
与此同时通过多通道，比如为单个gpu连接四到八个gddr7显示内存，可以实现高达512gb/s至1tb/s的数据传输速率，以满足智能汽车的高速数据传输需求。
伴随着智能汽车中自动驾驶以及智能座舱对算力的需求激增，以往普遍性能落后同期消费电子产品的汽车电子领域，已经成为了高算力芯片的重要市场，甚至是芯片算力提升的重要驱动力。
短短几年间，智能座舱以及自动驾驶芯片的算力翻了数倍，2017年英伟达推出的xavier自动驾驶芯片，算力为30tops；到了2019年，特斯拉推出hw3.0芯片，144tops的算力已经遥遥领先于同行；而到了2021年，蔚来发布的新车et7中，搭载的四颗英伟达orin x自动驾驶芯片算力已经高达1016tops；去年英伟达推出了单芯片算力高达2000tops的thor芯片，并提供双芯方案，共计可提供超过4000tops的总算力，预计将会在2025年在量产车型上被搭载。
汽车芯片算力暴涨，外围部件当然也需要同步升级，正如pc内部的cpu、显卡、dram、固态硬盘、电源等，如果出现一块短板，都可能会影响到整套系统的性能发挥。更大的芯片算力意味着需要更加高速的存储器，来为其计算的海量数据做基础支撑。
据yole的预测数据，2021—2027年全球汽车存储器的年均复合增长率（cagr）高达20%，与之相对应的，是同期汽车半导体整体市场的cagr仅为10%。也就是说，未来汽车存储器市场需求将会持续高速增长，而这也将会是存储厂商重点抢占的市场。
在汽车存储器市场中，汽车座舱是存储器的主要应用领域，随着智能座舱的持续演进，更多的屏幕、触控、传感器、高性能soc等，都需要更多外围的存储器技术，包括nor flash、 nand flash、dram等。
而对于自动驾驶而言，存储器需求主要会在高带宽dram、高密度nor flash等，同时得益于自动驾驶芯片算力不断提高，以及传感器数量的增多，自动驾驶也将会是存储需求增长最快的领域。
在特斯拉的hw3.0自动驾驶模块中，采用了8颗lpddr4 dram，总容量16gb，最高传输速率约为4gb/s，也就是带宽32gbps。而近期有外媒曝光的hw4.0模块中，则采用了16颗gddr6，总计32gb，同时存储方面也从hw3.0上使用的32gb 闪存升级到128gb，尽管仍是ufs2.1标准，接口速率不变。
英伟达方面，自动驾驶芯片xavier内部集成了八通道、256bit的lpddr4x内存控制器，每个通道最多支持32bit带宽的lpddr4x-4266内存，最高支持127.1gb/s速率。而在orin上，内存控制器最高可以支持204gb/s速率和最高64gb的dram，与此同时算力是xavier的7倍。
最新的英伟达thor芯片尽管没有公布支持的内存带宽，但其单芯片算力是orin的8倍，对应支持的内存带宽必然会有进一步提升。因此在gddr6预计即将在特斯拉hw4.0上首发之后，gddr7会跟随下一代自动驾驶芯片而进入汽车市场。当然，闪存方面，尽管特斯拉最新硬件依然是ufs2.1，但ufs3.1已经在理想l9等车型上应用，规格更高的闪存同样会逐步进入到智能汽车上。
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