一款可提高电源效率的负端同步整流芯片U7710
需求回升 负端同步整流芯片u7710大显身手
随着环保意识的提升，在多国政府法规积极推动之下，促使电子产品对电源供应器规格要求越来越严格。电源功率密度的不断提高，对于电源次级整流的要求越来越高，整流器件从最初的肖特基管整流，发展到用同步整流开关管替代二极管以降低功耗。今天推荐的就是一款可提高电源效率的负端同步整流芯片u7710！
负端同步整流芯片u7710是一款用于替代flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率mosfet以提升系统效率。u7710 支持““共地”同步整流配置，也支持系统断续工作模式(dcm)和准谐振工作模式(qr)。u7710 采用输出直接给vdd供电，不需要辅助绕阻，也不需要vdd电容,降低了系统成本。内置智能开通检测逻辑防止同步整流误导通。5v输出直接给vdd供电, 无需辅助绕阻，省略了vdd电容，系统成本降低。
系统开机以后，负端同步整流芯片u7710内部高压ldo从drain管脚抽取电流向vdd电容供电。当vdd电压低于欠压保护阈值后（3.2v 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流mosfet进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流mosfet的体二极管实现续流。当vdd电压高于vdd开启电压后（3.4v 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流mosfet只在副边续流期间才能开通。
开通阶段，变压器副边续流阶段开始时，同眇整流mosfet处于关闭状态，副边电流经mosfet体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向vds电压(<-500mv)。该负向vds电压远小于负端同步整流芯片u7710内部mosfet开启检测阈值，(典型值-200mv)，故经过开通延迟（典型值 20ns）后内部mosfet开通。
关断阶段，在同步整流 mosfet 导通期间，负端同步整流芯片u7710采样mosfet漏-源两端电压 (vds)。当vds电压高于mosfet关断阈值(典型值-6mv)，内部mosfet将在关断延迟（td_off，约20ns）后被关断。
在内部同步整流mosfet开通瞬间，负端同步整流芯片u7710漏-源(drain-source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路 (leb)。在leb时间（约1.12us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流mosfet，直至消隐时间结束。
实体商家会受到5G时代的冲击吗
为什么说 GaN 是 5G 的超级“动力”
瑞迅科技触控一体机在茶咖商用设备上的应用解决方案
三星S7/S7 edge有三种方式来更新Android 7.0
中国移动推出切片分组网络SPN技术已具备规模试商用条件
一款可提高电源效率的负端同步整流芯片U7710
嵌入式微处理器对电源管理的支持
人脸识别应用或迎来井喷期 应用场景会越来越广泛
三相交流接触器接线电路图 详解三相交流接触器接线方法
电磁流量计量探讨
可实现可视化的EDA工具远程调用接口
报告厅LED全彩显示屏应该怎么选择
三星Galaxy A52硬件配置、发售时间疑似曝光
场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数
VCA2612／2613／2616具有低噪声前置放大的可变增益放大器
英特尔百度携手研发Nervana神经网络训练处理器 极速训练深度学习
ARM推出调试和追踪解决方案 CoreSight SoC-400
LEO与GEO混合轨道卫星通信系统
基站电磁辐射对人体有没有危害呢
IC载板制造面临的挑战及其重要性
随着环保意识的提升，在多国政府法规积极推动之下，促使电子产品对电源供应器规格要求越来越严格。电源功率密度的不断提高，对于电源次级整流的要求越来越高，整流器件从最初的肖特基管整流，发展到用同步整流开关管替代二极管以降低功耗。今天推荐的就是一款可提高电源效率的负端同步整流芯片u7710！
负端同步整流芯片u7710是一款用于替代flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率mosfet以提升系统效率。u7710 支持““共地”同步整流配置，也支持系统断续工作模式(dcm)和准谐振工作模式(qr)。u7710 采用输出直接给vdd供电，不需要辅助绕阻，也不需要vdd电容,降低了系统成本。内置智能开通检测逻辑防止同步整流误导通。5v输出直接给vdd供电, 无需辅助绕阻，省略了vdd电容，系统成本降低。
系统开机以后，负端同步整流芯片u7710内部高压ldo从drain管脚抽取电流向vdd电容供电。当vdd电压低于欠压保护阈值后（3.2v 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流mosfet进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流mosfet的体二极管实现续流。当vdd电压高于vdd开启电压后（3.4v 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流mosfet只在副边续流期间才能开通。
开通阶段，变压器副边续流阶段开始时，同眇整流mosfet处于关闭状态，副边电流经mosfet体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向vds电压(<-500mv)。该负向vds电压远小于负端同步整流芯片u7710内部mosfet开启检测阈值，(典型值-200mv)，故经过开通延迟（典型值 20ns）后内部mosfet开通。
关断阶段，在同步整流 mosfet 导通期间，负端同步整流芯片u7710采样mosfet漏-源两端电压 (vds)。当vds电压高于mosfet关断阈值(典型值-6mv)，内部mosfet将在关断延迟（td_off，约20ns）后被关断。
在内部同步整流mosfet开通瞬间，负端同步整流芯片u7710漏-源(drain-source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路 (leb)。在leb时间（约1.12us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流mosfet，直至消隐时间结束。
实体商家会受到5G时代的冲击吗
为什么说 GaN 是 5G 的超级“动力”
瑞迅科技触控一体机在茶咖商用设备上的应用解决方案
三星S7/S7 edge有三种方式来更新Android 7.0
中国移动推出切片分组网络SPN技术已具备规模试商用条件
一款可提高电源效率的负端同步整流芯片U7710
嵌入式微处理器对电源管理的支持
人脸识别应用或迎来井喷期 应用场景会越来越广泛
三相交流接触器接线电路图 详解三相交流接触器接线方法
电磁流量计量探讨
可实现可视化的EDA工具远程调用接口
报告厅LED全彩显示屏应该怎么选择
三星Galaxy A52硬件配置、发售时间疑似曝光
场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数
VCA2612／2613／2616具有低噪声前置放大的可变增益放大器
英特尔百度携手研发Nervana神经网络训练处理器 极速训练深度学习
ARM推出调试和追踪解决方案 CoreSight SoC-400
LEO与GEO混合轨道卫星通信系统
基站电磁辐射对人体有没有危害呢
IC载板制造面临的挑战及其重要性