PMOS开关电路分析
概述
负载开关电路日常应用比较广泛，主要用来控制后级负载的电源开关。此功能可以直接用ic也可以用分立器件搭建，分立器件主要用pmos加三极管实现。本文主要讨论分立器件的实现的细节。
电路分析
如下图所示r5模拟后级负载，q1为开关，当r3端口的激励源为高电平时，q2饱和导通，mos管q1的vgs
提出问题
当q1导通上电瞬间电容两端电压不能突变会出现很高的冲击电流。此电流很可能会损坏mos管或者触发前级电源的过流保护，所以此冲击电流并不是我们想要的。接下来给r3端口加单脉冲激励源，观察q1(d)处的冲击电流。
通过仿真观察电流记录数据图表发现q1(d)处的电流峰值为约20a，稳态电流为1a。峰值较大给电路造成很大压力，接下来我们要想办法将此冲击电流降下来，保障电路的安全。
故障分析
mos的可以等效成下图右侧的电路模型，
输入电容ciss=cgs+cgd，
输出电容coss=cgd+cds，
反向传输电容crss=cgd，也叫米勒电容
mos的启动波形
t0—t1阶段
这个过程中，驱动电流ig为cgs充电，vgs上升，vds和id保持不变。一直到t1时刻，vgs上升到阈值开启电压vg（th）在t1时刻以前，mos处于截止区。
t1—t2阶段
t1时刻，mos管开始导通，id开始上升了。这个时间段内驱动电流仍然是为cgs充电，id逐渐上升，在上升的过程中vds会稍微有一些下降，这是因为下降的di/dt在杂散电感上面形成一些压降。
t2—t3阶段
从t2时刻开始，进入米勒平台时期，米勒平台就是vgs在一段时间几乎维持不动的一个平台。此时漏电流id最大。且vgs的驱动电流转移给cgd充电，vgs出现了米勒平台，vgs电压维持不变，然后vds就开始下降了。
t3~t4阶段
当米勒电容cgd充满电时，vgs电压继续上升，直至mos管完全导通。
从上述周期看出mos管开启过程主要受cgs和cgd共同影响。如果延长开启过程主要是延长t1—t2阶段和t2—t3阶段，在负载确定的情况下主要是增大cgs和cgd等效电容来实现。
仿真实践
在原有电路中加入c3和c4 100nf电容
仿真得出启动时电流波形为，其中红线为q1的vgs波形绿线为c4(1)测到的启动电流波形
明显对比之前不加c3、c4电容时启动冲击电流波形峰值下降，开通时间变长，并且尖峰后移。
调整c3和c4的值为1000nf时，效果更加明显
实验结论
实验得出增加mos的cgs和cgd可实现开通缓启动功能，保护mos不受到冲击损坏。
什么原因会造成伺服编码器损坏?
TensorFlow Lite 构建的无人驾驶微型汽车
蓝光产品承压 晶电欲提高四元产品比重
开启智能时代：亚马逊云科技倾力打造大语言模型前沿应用
未来汽车安全架构对分布式安全加速的需求
PMOS开关电路分析
TDK技术专家：温度传感器于混合动力/电动汽车何其重要
160160液晶屏+MSP430F169程序和电路图
共模电感的阻抗要如何选择
分享几款最良心的入门级千元机
技术路线剖析：动力混合和纯电动详细对比
iGame RTX 4080 Ultra W OC详细评测
超声波技术及其应用
精密压力表比对结果及问题的处理方法
全球电动车累计销量突破400万增速逐步加快
中国智能电网建设带动智能电表发展，行业处于充分竞争状态
厦门大学研制出新型甲醇燃料电池纳米催化剂
OPPO的VOOC快充技术到底有多强？OPPO R9原装充电器拆解
动力电池行业特定发展阶段和政策叠加的红利正在消退 价格战即将打响
大联大世平集团推出基于Toshiba产品的电机驱动解决方案
负载开关电路日常应用比较广泛，主要用来控制后级负载的电源开关。此功能可以直接用ic也可以用分立器件搭建，分立器件主要用pmos加三极管实现。本文主要讨论分立器件的实现的细节。
电路分析
如下图所示r5模拟后级负载，q1为开关，当r3端口的激励源为高电平时，q2饱和导通，mos管q1的vgs
提出问题
当q1导通上电瞬间电容两端电压不能突变会出现很高的冲击电流。此电流很可能会损坏mos管或者触发前级电源的过流保护，所以此冲击电流并不是我们想要的。接下来给r3端口加单脉冲激励源，观察q1(d)处的冲击电流。
通过仿真观察电流记录数据图表发现q1(d)处的电流峰值为约20a，稳态电流为1a。峰值较大给电路造成很大压力，接下来我们要想办法将此冲击电流降下来，保障电路的安全。
故障分析
mos的可以等效成下图右侧的电路模型，
输入电容ciss=cgs+cgd，
输出电容coss=cgd+cds，
反向传输电容crss=cgd，也叫米勒电容
mos的启动波形
t0—t1阶段
这个过程中，驱动电流ig为cgs充电，vgs上升，vds和id保持不变。一直到t1时刻，vgs上升到阈值开启电压vg（th）在t1时刻以前，mos处于截止区。
t1—t2阶段
t1时刻，mos管开始导通，id开始上升了。这个时间段内驱动电流仍然是为cgs充电，id逐渐上升，在上升的过程中vds会稍微有一些下降，这是因为下降的di/dt在杂散电感上面形成一些压降。
t2—t3阶段
从t2时刻开始，进入米勒平台时期，米勒平台就是vgs在一段时间几乎维持不动的一个平台。此时漏电流id最大。且vgs的驱动电流转移给cgd充电，vgs出现了米勒平台，vgs电压维持不变，然后vds就开始下降了。
t3~t4阶段
当米勒电容cgd充满电时，vgs电压继续上升，直至mos管完全导通。
从上述周期看出mos管开启过程主要受cgs和cgd共同影响。如果延长开启过程主要是延长t1—t2阶段和t2—t3阶段，在负载确定的情况下主要是增大cgs和cgd等效电容来实现。
仿真实践
在原有电路中加入c3和c4 100nf电容
仿真得出启动时电流波形为，其中红线为q1的vgs波形绿线为c4(1)测到的启动电流波形
明显对比之前不加c3、c4电容时启动冲击电流波形峰值下降，开通时间变长，并且尖峰后移。
调整c3和c4的值为1000nf时，效果更加明显
实验结论
实验得出增加mos的cgs和cgd可实现开通缓启动功能，保护mos不受到冲击损坏。
什么原因会造成伺服编码器损坏?
TensorFlow Lite 构建的无人驾驶微型汽车
蓝光产品承压 晶电欲提高四元产品比重
开启智能时代：亚马逊云科技倾力打造大语言模型前沿应用
未来汽车安全架构对分布式安全加速的需求
PMOS开关电路分析
TDK技术专家：温度传感器于混合动力/电动汽车何其重要
160160液晶屏+MSP430F169程序和电路图
共模电感的阻抗要如何选择
分享几款最良心的入门级千元机
技术路线剖析：动力混合和纯电动详细对比
iGame RTX 4080 Ultra W OC详细评测
超声波技术及其应用
精密压力表比对结果及问题的处理方法
全球电动车累计销量突破400万增速逐步加快
中国智能电网建设带动智能电表发展，行业处于充分竞争状态
厦门大学研制出新型甲醇燃料电池纳米催化剂
OPPO的VOOC快充技术到底有多强？OPPO R9原装充电器拆解
动力电池行业特定发展阶段和政策叠加的红利正在消退 价格战即将打响
大联大世平集团推出基于Toshiba产品的电机驱动解决方案