闪存的工作工程解析

闪存体系结构包括堆叠有大量闪存单元的存储阵列。基本的闪存单元由具有控制栅和浮栅的存储晶体管组成，浮栅通过薄介电材料或氧化物层与晶体管的其余部分绝缘。浮栅存储电荷并控制电流。
电子被添加到浮动栅极或从浮动栅极移除，以改变存储晶体管的阈值电压。改变电压会影响将单元编程为零还是一。
闪存单元由具有控制栅极和浮置栅极的存储晶体管组成。
一种称为fowler-nordheim隧穿的过程会将电子从浮栅中去除。fowler-nordheim隧穿或称为沟道热电子注入的现象都会将电子捕获在浮栅中。
使用fowler-nordheim隧道技术，数据会通过控制门上的强负电荷擦除。这迫使电子进入存在强正电荷的通道。
当使用fowler-nordheim隧道将电子捕获在浮栅中时，情况会相反。电子在存在高电场的情况下设法穿过薄的氧化物层到达浮栅，在单元的源极和漏极上带有强负电荷，而在控制栅极上带有强正电荷。
一种称为fowler-nordheim隧穿的过程会将电子从浮栅中去除。
沟道热电子注入（也称为热载流子注入）使电子能够突破栅氧化层并改变浮栅的阈值电压。当电子从通道中的高电流以及控制栅极上的吸引电荷中获取足够量的能量时，就会发生这种突破。
沟道热电子注入使电子能够穿透栅氧化层并改变浮栅的阈值电压。
不管包含闪存单元的器件是否由于氧化物层产生的电隔离而正在接收电力，电子都会被捕获在浮栅中。此特性使闪存可以提供持久存储。