上海伯东大口径射频离子源成功应用于12英寸IBE 离子束蚀刻机
上海伯东美国 kri 考夫曼公司大口径射频离子源 rficp 380, rficp 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 ibe 离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200mm 硅片蚀刻, 刻蚀均匀性（1 σ）达到<1%. kri 离子源可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.
离子束刻蚀属于干法刻蚀, 其核心部件为离子源. 作为蚀刻机的核心部件, kri 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的宽束离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!
客户案例: 12英寸 ibe 离子束蚀刻机安装 kri 射频离子源
kri 离子源工作过程: 气体通入离子源的放电室中, 电离产生均匀的等离子体, ibe 系统由离子源的栅极将正离子引出并加速, 然后由中和器进行中和. 利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面, 通过物理溅射将材料除去, 进而获得刻蚀图形. 这一过程属于纯物理过程, 一般运行在较高的真空度下.
由于等离子体的产生远离晶圆空间, 起辉不受非挥发性副产物的影响.
这种物理方案, 栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制, 提升了工艺可控性
通过载片台的角度调整, 实现离子束倾斜入射, 可用于特殊图案的刻蚀, 也适用于侧壁清洗等工艺.
蚀刻多层时不需要化学优化, 一般工艺通氩气, 也可通活性气体.
美国 kri 射频离子源技术参数:
上海伯东同时提供 ibe 离子蚀刻系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的蚀刻系统.
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