三极管在开关电路中的详细应用分析
三极管除了可以当做交流信号放大器之外，也可以做为开关之用。严格说起来，三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同，但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示，即为三极管电子开关的基本电路图。由图可知，负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而位居三极管主电流的回路上。
图一 基本的三极管开关
输入电压vin则控制三极管开关的开启（open） 与闭合（closed） 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通。详细的说，当vin为低电压时，由于基极没有电流，因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启，此时三极管乃胜作于截止（cut off）区。
同理，当vin为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此时三极管乃胜作于饱和区（saturation）。
1、 三极管开关电路的分析设计
由于对硅三极管而言，其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特，因此欲使三极管截止，vin必须低于0.6伏特，以使三极管的基极电流为零。通常在设计时，为了可以更确定三极管必处于截止状态起见，往往使vin值低于 0.3伏特。（838电子资源）当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上，则三极管的集电极与射极必须短路，就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使 vin达到够高的准位，以驱动三极管使其进入饱和工作区工作，三极管呈饱和状态时，集电极电流相当大，几乎使得整个电源电压vcc均跨在负载电阻上，如此则vce便接近于0，而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下，根据奥姆定律三极管呈饱和时，其集电极电流应该为：
因此，基级电流最少应为
上式表出了ic和ib之间的基本关系，式中的β值代表三极管的直流电流增益，对某些三极管而言，其交流β值和直流β值之间，有着甚大的差异。欲使开关闭合，则其vin值必须够高，以送出超过或等于（式1） 式所要求的最低基极电流值。由于基极回路只是一个电阻和基射极接面的串联电路，故vin可由下式来求解：
一旦基极电压超过或等于上式所求得的数值，三极管便导通，使全部的供应电压均跨在负载电阻上，而完成了开关的闭合动作。
我们常把基极与射极之间当做完全短路的。但事实并非如此，没用什么三极管可完全短路而使vce=0，尽管vce（饱和）的电压很小，本身微不足道，但你把几个三极管串连进行工作时，其压降就非常可观了，但并联方式工作却是完美适用的。
2.测试
三极管开关不像机械式开关可以光凭肉眼就判断出它目前的启闭状态，因此必须利用电表来加以测试。在标准三极管开关电路中，当开关导通时，vec的读值应该为0，反之当开关切断时，vce应对于vcc。
三极管开关在切断的状况下，由于负载上没有电流流过，因此也没有压降，所以全部的供应电压均跨降在开关的两端，因此其vce值应等于vcc，这和机械式开关是完全相同的。如果开关本身应导通而未导通，那就得测试vin的大小了。欲保证三极管导通，其基极的vin电压值就必须够高，如果vin值过低，则问题就出自信号源而非三极管本身了。假使在vin的准位够高，驱动三极管导通绝无问题时，而负载却仍未导通，那就要测试电源电压是否正常了。
在导通的状态下，硅三极管的vbe值约为0.6伏特，假使vin值够高，而vbe值却高于和低于0.6伏特，例如vbe为1.5伏特或0.2伏特，这表示基射极接面可能已经损坏，必须将三极管换掉。当然这一准则也未必百分之百正确，许多大电流额定的功率三极管，其vbe值经常是超过1伏特的，因此即使 vbe的读值达到1.5伏特，也未必就能肯定三极管的接面损坏，这时候最好先查阅三极管规格表后再下断言。
一旦vbe正常且有基极电流流动时，便必须测试vce值，假使vce趋近于vcc，就表示三极管的集基接面损坏，必须换掉三极管。假使vce趋近于零伏特，而负载仍未导通，这可能是负载本身有开路现象发生，因此必须检换负载。
当vin降为低电压准位，三极管理应截止而切断负载，如果负载仍旧未被切断，那可能是三极管的集基极和集射极短路，必须加以置换。
3.改进电路
（1）
图左，在基射极间串接上一只二极管，因此使得可令基极电流导通的输入电压值提升了0.6伏特，如此即使vin值由于信号源的误动作而接近0.6伏特时，亦不致使三极管导通，因此开关仍可处于截止状态。图6右加上了一只辅助-截止(hold-off)电阻r2，适当的r1，r2及vin值设计，可于临界输入电压时确保开关截止。由图6(b)可知在基射极接面未导通前(ib0)，r1和r2形成一个串联分压电路，因此r1必跨过固定(随vin而变) 的分电压，所以基极电压必低于vin值，因此即使vin接近于临界值(vin=0.6伏特) ，基极电压仍将受连接于负电源的辅助-截止电阻所拉下，使低于0.6伏特。由于r1，r2及vbb值的刻意设计，只要vin在高值的范围内，基极仍将有足够的电压值可使三极管导通，不致受到辅助-截止电阻的影响。
（2）
在要求快速切换动作的应用中，必须加快三极管开关的切换速度。图7为一种常见的方式，此方法只须在rb电阻上并联一只加速电容器，如此当vin由零电压往上升并开始送电流至基极时，电容器由于无法瞬间充电，故形同短路，然而此时却有瞬间的大电流由电容器流向基极，因此也就加快了开关导通的速度。稍后，待充电完毕后，电容就形同开路，而不影响三极管的正常工作。
（3）
有时候三极管开关的负载并非直接加在集电极与电源之间，而是接成上图的方式。
（4）
假使图3三极管开关加上了电容性负载(假定其与rld并联) ，那么在三极管截止后，由于负载电压必须经由rc电阻对电容慢慢充电而建立，因此电容量或电阻值愈大，时间常数(rc) 便愈大，而使得负载电压之上升速率愈慢，在某些应用中，这种现象是不容许的，因此必须采用上图的改良电路。
（5）
有时信号源(如正反器)输出电路之电流容量太小，不足以驱动晶体管开关，此时为避免信号源不胜负荷而产生误动作，便须采用图上图所示的改良电路。
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输入电压vin则控制三极管开关的开启（open） 与闭合（closed） 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通。详细的说，当vin为低电压时，由于基极没有电流，因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启，此时三极管乃胜作于截止（cut off）区。
同理，当vin为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此时三极管乃胜作于饱和区（saturation）。
1、 三极管开关电路的分析设计
由于对硅三极管而言，其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特，因此欲使三极管截止，vin必须低于0.6伏特，以使三极管的基极电流为零。通常在设计时，为了可以更确定三极管必处于截止状态起见，往往使vin值低于 0.3伏特。（838电子资源）当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上，则三极管的集电极与射极必须短路，就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使 vin达到够高的准位，以驱动三极管使其进入饱和工作区工作，三极管呈饱和状态时，集电极电流相当大，几乎使得整个电源电压vcc均跨在负载电阻上，如此则vce便接近于0，而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下，根据奥姆定律三极管呈饱和时，其集电极电流应该为：
因此，基级电流最少应为
上式表出了ic和ib之间的基本关系，式中的β值代表三极管的直流电流增益，对某些三极管而言，其交流β值和直流β值之间，有着甚大的差异。欲使开关闭合，则其vin值必须够高，以送出超过或等于（式1） 式所要求的最低基极电流值。由于基极回路只是一个电阻和基射极接面的串联电路，故vin可由下式来求解：
一旦基极电压超过或等于上式所求得的数值，三极管便导通，使全部的供应电压均跨在负载电阻上，而完成了开关的闭合动作。
我们常把基极与射极之间当做完全短路的。但事实并非如此，没用什么三极管可完全短路而使vce=0，尽管vce（饱和）的电压很小，本身微不足道，但你把几个三极管串连进行工作时，其压降就非常可观了，但并联方式工作却是完美适用的。
2.测试
三极管开关不像机械式开关可以光凭肉眼就判断出它目前的启闭状态，因此必须利用电表来加以测试。在标准三极管开关电路中，当开关导通时，vec的读值应该为0，反之当开关切断时，vce应对于vcc。
三极管开关在切断的状况下，由于负载上没有电流流过，因此也没有压降，所以全部的供应电压均跨降在开关的两端，因此其vce值应等于vcc，这和机械式开关是完全相同的。如果开关本身应导通而未导通，那就得测试vin的大小了。欲保证三极管导通，其基极的vin电压值就必须够高，如果vin值过低，则问题就出自信号源而非三极管本身了。假使在vin的准位够高，驱动三极管导通绝无问题时，而负载却仍未导通，那就要测试电源电压是否正常了。
在导通的状态下，硅三极管的vbe值约为0.6伏特，假使vin值够高，而vbe值却高于和低于0.6伏特，例如vbe为1.5伏特或0.2伏特，这表示基射极接面可能已经损坏，必须将三极管换掉。当然这一准则也未必百分之百正确，许多大电流额定的功率三极管，其vbe值经常是超过1伏特的，因此即使 vbe的读值达到1.5伏特，也未必就能肯定三极管的接面损坏，这时候最好先查阅三极管规格表后再下断言。
一旦vbe正常且有基极电流流动时，便必须测试vce值，假使vce趋近于vcc，就表示三极管的集基接面损坏，必须换掉三极管。假使vce趋近于零伏特，而负载仍未导通，这可能是负载本身有开路现象发生，因此必须检换负载。
当vin降为低电压准位，三极管理应截止而切断负载，如果负载仍旧未被切断，那可能是三极管的集基极和集射极短路，必须加以置换。
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（1）
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（2）
在要求快速切换动作的应用中，必须加快三极管开关的切换速度。图7为一种常见的方式，此方法只须在rb电阻上并联一只加速电容器，如此当vin由零电压往上升并开始送电流至基极时，电容器由于无法瞬间充电，故形同短路，然而此时却有瞬间的大电流由电容器流向基极，因此也就加快了开关导通的速度。稍后，待充电完毕后，电容就形同开路，而不影响三极管的正常工作。
（3）
有时候三极管开关的负载并非直接加在集电极与电源之间，而是接成上图的方式。
（4）
假使图3三极管开关加上了电容性负载(假定其与rld并联) ，那么在三极管截止后，由于负载电压必须经由rc电阻对电容慢慢充电而建立，因此电容量或电阻值愈大，时间常数(rc) 便愈大，而使得负载电压之上升速率愈慢，在某些应用中，这种现象是不容许的，因此必须采用上图的改良电路。
（5）
有时信号源(如正反器)输出电路之电流容量太小，不足以驱动晶体管开关，此时为避免信号源不胜负荷而产生误动作，便须采用图上图所示的改良电路。
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