国芯思辰｜基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低电机驱动功率损耗，导通延迟20ns
据评估，世界上超过一半的电能消耗用于各种电动机。因此，降低电动机的功率损耗并提高电力转换的效率显得尤为重要。
电动机驱动电路一般原理图
本文主要讲到基本半导体的碳化硅功率mosfet b1m080120hc，该器件具有延迟极短、超高耐压、低导通阻抗、小封装等优势，可以和wolfspeed的c2m0080120d、罗姆的sct2080ke、英飞凌的imw120r090m1h、st的sct30n120、安森美的nthl080n120sc1型号实现pin to pin替换，为电动机驱动提供解决方案，具有巨大的市场前景。
具体应用优势如下：
1、在电气特性方面，b1m080120hc可承受的最高电压达1200v，连续漏极电流最高可达44a，栅极阈值电压典型值为3v，即使用普通mcu或者使用ttl电平也可轻松驱动，完全满足电动机驱动的电气要求。
2、b1m080120hc导通延迟时间20ns，关断延迟时间44ns，真正实现电动机驱动高频率切换。而且自身功率耗散最高可达241w，可延长其寿命周期，具有更高的稳定性。
3、b1m080120hc的导通阻抗的典型值仅为80mω，能够实现较高的系统效率。
4、b1m080120hc的封装为to-247-3，工作结温范围为-55~+150℃，结壳热阻为0.518k/w，满足电动机驱动的工作环境，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。
综上所述，基本半导体碳化硅mosfet b1m080120hc可以实现高功率密度，并且在一般输出功率的应用中无需额外添加散热器，节省了系统空间。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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1、在电气特性方面，b1m080120hc可承受的最高电压达1200v，连续漏极电流最高可达44a，栅极阈值电压典型值为3v，即使用普通mcu或者使用ttl电平也可轻松驱动，完全满足电动机驱动的电气要求。
2、b1m080120hc导通延迟时间20ns，关断延迟时间44ns，真正实现电动机驱动高频率切换。而且自身功率耗散最高可达241w，可延长其寿命周期，具有更高的稳定性。
3、b1m080120hc的导通阻抗的典型值仅为80mω，能够实现较高的系统效率。
4、b1m080120hc的封装为to-247-3，工作结温范围为-55~+150℃，结壳热阻为0.518k/w，满足电动机驱动的工作环境，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。
综上所述，基本半导体碳化硅mosfet b1m080120hc可以实现高功率密度，并且在一般输出功率的应用中无需额外添加散热器，节省了系统空间。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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