功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性
功率场效应管是一种可控硅晶体管，它是一种由金属氧化物半导体构成的三极管，具有较低的额定电压、较大的漏电流和较慢的开关速度等特点。
双极型功率晶体管是一种可控硅晶体管，它是一种由金属氧化物半导体构成的三极管，具有较高的额定电压、较低的漏电流和较快的开关速度等特点。
功率场效应管与双极型功率晶体管的区别主要有：
1.功率场效应管的额定电压较低，而双极型功率晶体管的额定电压较高；
2.功率场效应管的漏电流较大，而双极型功率晶体管的漏电流较小；
3.功率场效应管的开关速度较慢，而双极型功率晶体管的开关速度较快。
功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下：
1. 驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小;功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。
2. 开关速度：场效应管无少数载流子存储效应，温度影响小，开关工作频率可达150khz以上;功率晶体管有少数载流子存储时间限制其开关速度，工作频率一般不超过50khz。
3. 安全工作区：功率场效应管无二次击穿，安全工作区宽;功率晶体管存在二次击穿现象，限制了安全工作区。
4. 导体电压：功率场效应管属于高电压型，导通电压较高，有正温度系数;功率晶体管无论耐电压的高低，导体电压均较低，具有负温度系数。
5. 峰值电流：功率场效应管在开关电源中用做开关时，在启动和稳态工作时，峰值电流较低;而功率晶体管在启动和稳态工作时，峰值电流较高。
6. 产品成本：功率场效应管的成本略高;功率晶体管的成本稍低。
7. 热击穿效应：功率场效应管无热击穿效应;功率晶体管有热击穿效应。
8. 开关损耗：场效应管的开关损耗很小;功率晶体管的开关损耗比较大。
功率场效应晶体管的工作特性主要有：
1.它具有较低的额定电压；
2.它具有较大的漏电流；
3.它具有较慢的开关速度；
4.它具有较高的静态电流增益；
5.它具有较低的动态电流增益；
6.它具有较低的输出阻抗。
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1.功率场效应管的额定电压较低，而双极型功率晶体管的额定电压较高；
2.功率场效应管的漏电流较大，而双极型功率晶体管的漏电流较小；
3.功率场效应管的开关速度较慢，而双极型功率晶体管的开关速度较快。
功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下：
1. 驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小;功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。
2. 开关速度：场效应管无少数载流子存储效应，温度影响小，开关工作频率可达150khz以上;功率晶体管有少数载流子存储时间限制其开关速度，工作频率一般不超过50khz。
3. 安全工作区：功率场效应管无二次击穿，安全工作区宽;功率晶体管存在二次击穿现象，限制了安全工作区。
4. 导体电压：功率场效应管属于高电压型，导通电压较高，有正温度系数;功率晶体管无论耐电压的高低，导体电压均较低，具有负温度系数。
5. 峰值电流：功率场效应管在开关电源中用做开关时，在启动和稳态工作时，峰值电流较低;而功率晶体管在启动和稳态工作时，峰值电流较高。
6. 产品成本：功率场效应管的成本略高;功率晶体管的成本稍低。
7. 热击穿效应：功率场效应管无热击穿效应;功率晶体管有热击穿效应。
8. 开关损耗：场效应管的开关损耗很小;功率晶体管的开关损耗比较大。
功率场效应晶体管的工作特性主要有：
1.它具有较低的额定电压；
2.它具有较大的漏电流；
3.它具有较慢的开关速度；
4.它具有较高的静态电流增益；
5.它具有较低的动态电流增益；
6.它具有较低的输出阻抗。
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