一文详解IGBT技术参数
一、开通延时。
t1时刻vge上升到10%，t2时刻ic上升到10%，开通延时td(on)=t2-t1。
二、关断延时。
t1时刻vge下降到90%，t2时刻ic下降到90%，关断延时td(off)=t2-t1。
三、上升时间。
t1时刻ic上升到10%，t2时刻ic上升到90%（不算过冲部分），上升时间tr=t2-t1。
四、下降时间。
t1时刻ic下降到90%，t2时刻ic下降到10%，下降时间tr=t2-t1。
五、vce饱和电压。
igbt导通时，ce两端呈现低阻抗，所以压降也很小。
六、vces。
igbt截止时，ce两端的最大击穿电压。
七、开通耗损和关断耗损。
igbt开通时vce减少，ic增大，虚线之间，eon=vce、ic、t所围成的面积；
igbt关断时vce增大，ic减少，虚线之间，eoff=vce、ic、t所围成的面积。
八、输入电容。
输出短路（ce短接），输入电容cies=cgc+cge。
九、输出电容。
输入短路（ge短接），输出电容coes=cgc+cec。
十、米勒电容。
跨接在g、c之间的电容，叫米勒电容cres，也叫反向传输电容。
十一、门极电荷。
也称栅极电荷，用于衡量驱动门极，所需要能量。
十二、soa。
安全工作区。分为fbsoa（正偏安全工作区）、rbsoa（反偏安全工作区）、scsoa（短路安全工作区）。
fbsoa，与工艺相关，得到电压-电流密度曲线，如下图所示。
rbsoa，与vce电压、ic电流相关，得到电压-电流曲线，曲线所包围的面积为安全工作区，如下图所示。
scsoa，与门极开通时间、ic电流相关。逐步增大门极开通时间，再测ic电流，得到时间-电流曲线，如下图所示。
十三、结温。
igbt内部的温度。
十四、壳温。
igbt外壳的温度。
十五、短路电流。
10us内瞬时流过igbt，ce两端的最大电流。
十六、集电极重复峰值电流。
可以重复地让igbt，ce两端在短时间内导通，所能承受的最大电流。
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三、上升时间。
t1时刻ic上升到10%，t2时刻ic上升到90%（不算过冲部分），上升时间tr=t2-t1。
四、下降时间。
t1时刻ic下降到90%，t2时刻ic下降到10%，下降时间tr=t2-t1。
五、vce饱和电压。
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六、vces。
igbt截止时，ce两端的最大击穿电压。
七、开通耗损和关断耗损。
igbt开通时vce减少，ic增大，虚线之间，eon=vce、ic、t所围成的面积；
igbt关断时vce增大，ic减少，虚线之间，eoff=vce、ic、t所围成的面积。
八、输入电容。
输出短路（ce短接），输入电容cies=cgc+cge。
九、输出电容。
输入短路（ge短接），输出电容coes=cgc+cec。
十、米勒电容。
跨接在g、c之间的电容，叫米勒电容cres，也叫反向传输电容。
十一、门极电荷。
也称栅极电荷，用于衡量驱动门极，所需要能量。
十二、soa。
安全工作区。分为fbsoa（正偏安全工作区）、rbsoa（反偏安全工作区）、scsoa（短路安全工作区）。
fbsoa，与工艺相关，得到电压-电流密度曲线，如下图所示。
rbsoa，与vce电压、ic电流相关，得到电压-电流曲线，曲线所包围的面积为安全工作区，如下图所示。
scsoa，与门极开通时间、ic电流相关。逐步增大门极开通时间，再测ic电流，得到时间-电流曲线，如下图所示。
十三、结温。
igbt内部的温度。
十四、壳温。
igbt外壳的温度。
十五、短路电流。
10us内瞬时流过igbt，ce两端的最大电流。
十六、集电极重复峰值电流。
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