ROHM开发厚膜分流电阻器 安森美发布应用于服务器和电信的MOSFET
rohm开发出实现4w业内超高额定功率的厚膜分流电阻器“ltr100l” 全球知名半导体制造商rohm开发出一款厚膜分流电阻器“ltr100l”，非常适用于工业设备和消费电子设备等的电流检测应用。
rohm正在致力于扩大分流电阻器的产品阵容，最近，最大额定功率为10w的金属板分流电阻器“gmr320”已于2021年2月开始投入量产。此外，从2018年4月开始，2w额定功率保证的厚膜分流电阻器“ltr50低阻值系列”也已开始量产。此次新产品的推出，使厚膜分流电阻器的产品阵容扩展到了更高的功率范围。
新产品通过改良电阻体材料并适用引脚温度降额，在3264尺寸（3.2mm×6.4mm）的厚膜分流电阻器中，实现了业内超高的4w额定功率。该产品非常适合功率不断提高的工业设备和消费电子设备领域，例如电机控制电路和过电流保护电路的电流检测应用。此外，通过优化元件结构，还在厚膜分流电阻器业界实现了出色的电阻温度系数（tcr）*1。由于不易受温度影响，因此可以进行高精度和高可靠性的电流检测。
安森美发布高性能、低损耗的superfet v mosfet系列，应用于服务器和电信 领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：on），发布新的600 v superfet®v mosfet系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 plus titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 v superfet系列下的三个产品组--fast、easy drive和frfet经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。
600 v superfet v系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰（emi）--这对服务器和 电信系统是个显著的好处。此外，强固的体二极管和较高的vgss（dc +/- 30 v）增强了系统可靠性。
安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理asif jakwani说：“80 plus titanium认证以应对气候变化为目标，要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%，在处理50%负载时的能效达96%。我们的superfet v系列的fast、easy drive和frfet版本正在满足这些要求，提供强固的方案，确保持续的系统可靠性。”
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新产品通过改良电阻体材料并适用引脚温度降额，在3264尺寸（3.2mm×6.4mm）的厚膜分流电阻器中，实现了业内超高的4w额定功率。该产品非常适合功率不断提高的工业设备和消费电子设备领域，例如电机控制电路和过电流保护电路的电流检测应用。此外，通过优化元件结构，还在厚膜分流电阻器业界实现了出色的电阻温度系数（tcr）*1。由于不易受温度影响，因此可以进行高精度和高可靠性的电流检测。
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600 v superfet v系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰（emi）--这对服务器和 电信系统是个显著的好处。此外，强固的体二极管和较高的vgss（dc +/- 30 v）增强了系统可靠性。
安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理asif jakwani说：“80 plus titanium认证以应对气候变化为目标，要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%，在处理50%负载时的能效达96%。我们的superfet v系列的fast、easy drive和frfet版本正在满足这些要求，提供强固的方案，确保持续的系统可靠性。”
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