【回顾往年CES】高通在展会上透露更多骁龙835处理器细节
高通宣布将在ces2017上揭露更多关于骁龙835处理器的详细信息和规格参数。不过这次，高通的保密工作看来做的不是那么好，外媒爆料了高通骁龙835处理器的官方宣讲稿，现在高通骁龙835处理器关键ppt偷跑，其规格信息一目了然。
除了我们已经知道的三星10nm工艺制程，根据外媒公布的消息，我们还可以了解到骁龙835采用4x2.45ghz大核、4x1.9ghz小核八核心设计，大小核均为kryo280架构，gpu为adreno 540，支持4k屏、ufs 2.1、双摄以及lpddr4x四通道内存，整合了cat.16基带。支持quick charge 4.0快速充电技术。
与上一代骁龙820/821相比，kyro280架构的使用，对vr的支持也提升了20%以上， adreno 540 gpu则提升了25%的4k视频播放效率，在充电方面，quickcharge 4.0能实现充电五分钟，提供5小时续航力、15分钟内将设备的电量充到50%，内置了inov技术相较于quick charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。
另外，x16 lte基带可以提供1gbps的下载速度，支持802.11ad wi-fi，得益于10nm，基带模块封装面积缩小了45%，能效提升60%。骁龙835也在安全性、深度学习上做了改善加强，而且它还是首颗支持win10桌面系统的arm处理器。
骁龙835处理器详细信息提前曝光，也越来越让人期待骁龙835装机上市。由于原计划首发的三星s8延迟到4月发布，那么首款搭载骁龙835处理器的智能手机，会是谁呢？让我们一起拭目以待。
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