据韩媒报道,自今年年初以来,三星电子和sk海力士的高带宽存储器(hbm)订单激增。尽管hbm具有优异的性能,但其应用比一般dram少。这是因为hbm的平均售价(asp)至少是dram的三倍。hbm需要复杂的生产过程和高度先进的技术。人工智能服务的扩展扭转了局面。一位业内人士表示,“与性能最高的dram相比,hbm3的价格上涨了五倍。”
据了解,目前sk海力士在hbm市场处于领先地位,约有60%-70%的份额。hbm(高带宽存储器)是高价值、高性能存储器,垂直互连多个dram芯片,与传统dram产品相比显著提高数据处理速度。sk海力士 hbm3 dram是继hbm(第一代)、hbm2(第二代)和hbm2e(第三代)之后的第四代hbm产品。
sk海力士介绍,其hbm3的容量是hbm2e的1.5倍,从12个dram管芯堆叠到相同的总封装高度,适合ai和hpc等功率容量密集型应用。单个立方体可以产生高达819gb/s的带宽,而在同一硅片上具有六个hbm芯片的sip(系统封装)可以实现高达4.8tb/s的带宽,以支持exascale需求。
来源:sk海力士
来源:sk海力士
sk hynix hbm3还具有一个强大的、定制的片上ecc(纠错码),它使用预先分配的奇偶校验位来检查和纠正接收数据中的错误。嵌入式电路允许dram自校正单元内的错误,显著提高了器件可靠性。
去年6月,sk海力士宣布其hbm3将与nvidia h100 tensor core gpu结合用于加速计算。sk hynix的hbm3有望通过高达819gb/s的内存带宽增强加速计算性能,相当于每秒传输163部fhd(全高清)电影(5gb标准)。在nvidia完成对sk海力士hbm3样品的性能评估后,sk hynix于2022年第三季度开始发货。
三星推出hbm3 icebolt,专为数据中心加速,减轻高性能计算负荷,充分挖掘人工智能 (ai) 潜能的存储芯片。hbm3 icebolt 高带宽存储采用 12 层高速 dram,拥有更快速度、更高能效和更大容量。
hbm3 icebolt 以高达 6.4gbps 处理速度和高达 819gb/s 的带宽将性能提升到新高度。比上一代产品快将近 1.8 倍。
借助专为数据中心加速而设计的 hbm,让数据发挥更大作用。hbm3 icebolt 采用 12 层 10 纳米级 16 gb dram die堆叠,实现 24gb 的存储容量,24gb是三星前代产品hbm2e的 1.5 倍。利用新型解决方案打造更强大的神经网络,并以更快的速度处理数据。
处理速度更快,存储容量更大,但能效比却明显高于上一代hbm2e。hbm3 icebolt 具有前所未有的强大能力,采用超高效设计,能效比上一代产品提高了 10%。因此,能提高性能同时减轻服务器的负担。
hbm3 icebolt即使在提供更高速度的情况下,仍然提供增强型自我校正功能,从而保证数据可靠性。hbm3 icebolt 解决方案可校正所有 16 位错误 - 相较于仅校正单比特错误的上一代产品hbm2e,odecc 能力实现巨大飞跃。因此,能够消除更多错误,更好的防止数据损坏,保持你数据的稳定性和安全性。
与传统dram相比,hbm在数据处理速度和性能方面具有显著的竞争力。chatgpt大火带动人工智能和数据中心建设投入升级,也必将带动hbm产品的需求增长。
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