负端同步整流芯片U7710&U7711典型应用
负端同步整流芯片u7710&u7711需求空间大
u7710&u7711
现在的芯片市场供应较之去年有所好转，但有些品类的芯片供应仍然偏紧，特别是对于有特别要求且成本收紧的项目，依然有很大的需求空间。深圳银联宝科技的负端同步整流芯片u7710&u7711是一款用于替代 flyback 副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率mosfet 以提升系统效率。
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负端同步整流芯片u7710&u7711支持“共地”同步整流配置，也支持系统断续工作模式 （dcm） 和准谐振工作模式 （qr）。芯片输出直接给vdd供电，无需辅助绕阻，省略了vdd电容，系统成本降低。芯片内置智能开通检测逻辑防止同步整流误导通。
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系统开机以后，负端同步整流芯片u7710&u7711内部高压ldo从drain管脚抽取电流向 vdd 电容供电。当vdd电压低于欠压保护阈值后（3.2v 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流mosfet进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流mosfet的体二极管实现续流。当vdd电压高于vdd开启电压后（3.4v 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流mosfet只在副边续流期间才能开通。
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变压器副边续流阶段开始时，同步整流mosfet处于关闭状态，副边电流经mosfet体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向vds电压（《-500mv）。该负向 vds 电压远小于 u771x 内部mosfet开启检测阈值，（典型值-200mv）， 故经过开通延迟（典型值 20ns）后内部mosfet开通。在同步整流mosfet导通期间， 负端同步整流芯片u7710&u7711采样mosfet漏-源两端电压（vds）。当vds电压高于mosfet关断阈值（典型值-6mv），内部 mosfet 将在关断延迟（td_off，约20ns）后被关断。
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在内部同步整流mosfet开通瞬间，芯片漏源（drain-source） 之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，负端同步整流芯片u7710&u7711内部集成有前沿消隐电路 （leb）。在leb时间（约 1.12us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流mosfet，直至消隐时间结束。
u7710&u7711
负端同步整流芯片u7710&u7711典型应用于反激变换器、充电器中，可做5v2a、5v2.4a，sop-8封装，量大更优！
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u7710&u7711
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