华大电子MCU CIU32L061x8存储器（Flash）一
5 、flash 存储器（flash）
5.1 简介
flash 存储器连接在 ahb 总线上，由 flash 控制器统一管理，可对存储器执行取指、读取、编程和擦除操作，并具有安全访问机制和读写保护等功能。
沈阳芯硕科技有限公司是华大电子代理商，有技术问题可咨询我们。
5.2flash 主要特性
l 高达 128 kb 的用户存储空间
- 块大小：16 kb
- 页大小：512 字节
l 32-bits 位宽读取/写入
l 支持页擦除、块擦除、批量擦除
l 可配置 3 种读出保护等级（rdp）
l 2 块可配置的代码读出保护区域（pcrop）
l 2 块可配置的写入保护区域（wrp）
l 可配置大小的用户安全存储区域
5.3flash 功能描述
5.3.1flash 存储器组成
flash 存储器按 32-bits 位宽执行读写访问，可存储指令和数据。
flash 存储器的组成如下：
l user flash 区：用于存储用户程序和数据，存储空间为 128kb，分成 8 个
块（block），每个块包含 32 个页（page），每页 512 字节；
l system memory 区：用于存储 bootloader 和算法 api，存储空间为14kb；
l option bytes 区：用于存储外设和存储器保护配置的选项字节；
l engineer 区：用于存储 uid、ts/bgr 校准值；
l otp 区：一次性可编程区域，共 512 字节。
5.3.2flash 读取访问等待周期
flash 存储器连接在 ahb 总线上，读取 flash 时使用 hclk 时钟。当 hclk 的 时钟频率超出 flash 存储器的工作频率时，就会造成数据读取错误，此时需要插入等待周期。 flash 访问控制寄存器（flash_acr）中的 latency[1:0]位域，用于配置 flash 读取访问的等待周期，hclk 时钟频率与 flash 读取访问等待周期的对应关系见 下表。
为保证 flash 读取访问不出现异常或错误，当要改变 hclk 的时钟频率时，必须按照特定步骤进行配置。
l 提高 hclk 频率的配置步骤：
1） 通过配置 flash_acr 寄存器中的 latency[1:0]位域，增大 flash
读取访问的等待周期；
2） 读取 latency[1:0]位域，检查等待周期已配置成功；
3） 提高 hclk 频率，可通过配置 rcc 时钟配置寄存器（rcc_cfg）
中的sysw[2:0]位域，切换更高频率的时钟源，或通过配置hpre[2:0]
位域，减小系统时钟的分频值；
4） 配置 sysw[2:0]位域后，必须对 rcc_cfg 寄存器中的 sysws[2:0]
位域进行检查，确认系统时钟已切换完成。
l 降低 hclk 频率的配置步骤：
1） 降低 hclk 频率，可通过配置 rcc 时钟配置寄存器（rcc_cfg）
中的sysw[2:0]位域，切换更低频率的时钟源，或通过配置hpre[2:0]
位域，增大系统时钟的分频值；
2） 配置 sysw[2:0]位域后，必须对 rcc_cfg 寄存器中的 sysws[2:0]
位域进行检查，确认系统时钟已切换完成；
3） 通过 flash_acr 寄存器中的 latency[1:0]位域，减小 flash 读取
访问的等待周期；
4） 读取 latency[1:0]位域，检查等待周期已配置成功。
5.3.3flash 解锁
为防止 flash 被意外修改，增加了保护措施，必须向特定寄存器写入密钥，才能解锁相关功能的配置权限。
5.3.3.1flash 控制寄存器解锁
复位后，flash 控制寄存器（flash_cr）将处于写保护锁定状态。要配置
flash_cr 寄存器，需首先进行解锁操作。
flash_cr 寄存器的解锁操作，必须严格按照以下步骤顺序执行：
1） 向 flash_crkey 寄存器写入密钥 1：0xe57a 1a85；
2） 向 flash_crkey 寄存器写入密钥 2：0x7c6e 8391；
3） 检查 flash_cr 寄存器中的 lock 位，当该位清 0 时，表明 flash_cr 寄存器已解锁。解锁完成后，才能对 flash_cr 寄存器进行配置。
注意：flash_cr 寄存器中与选项字节相关的控制位（obl_launch 和 optstrt）， 必须在 flash 选项字节解锁后才能进行配置。 密钥必须严格按照顺序写入，如果出现以下情况，将产生总线错误同时触发 hardfault 中断，直到再次复位后，才能重新对 flash_cr 寄存器进行解锁：
l 向 flash_crkey 寄存器写入错误的密钥值；
l 解锁顺序错误，先向 flash_crkey 寄存器写入密钥 2：0x7c6e 8391；
l 解锁后继续向 flash_crkey 寄存器写入任意值（包括密钥）。
将 flash_cr 寄存器中的 lock 位重新置 1，能恢复 flash_cr 寄存器的写 保护锁定状态。通过复位，也能使 flash_cr 寄存器恢复成写保护锁定状态。
注意：当 flash_sr 寄存器中的 bsy 位为 1 时，对 flash_cr 寄存器的写入将无效，flash_sr 寄存器中的 peserr 标志将置 1，flash 当前操作将继续正常执行。
5.3.3.2flash 选项字节解锁
复位后，flash 选项字节处于写保护锁定状态，所有的选项字节加载寄存器、
flash_cr 寄存器中的 obl_launch 位和 optstrt 位，都会被写保护。要对选项字节进行更新，就先要进行解锁操作。
flash 选项字节的解锁操作，必须严格按照以下步骤顺序执行：
1） 先解锁 flash 控制寄存器 flash_cr（详见： flash 控制寄存器解锁）；
2） 向 flash_optkey 寄存器写入密钥 1：0x6a89 4d7b；
3） 向 flash_optkey 寄存器写入密钥 2：0x7c31 1f5a；
4） 检查 flash_cr 寄存器中的 optlock 位，当该位清 0 时，表明 flash选项字节已解锁。解锁完成后，才能对选项字节加载寄存器及其控制位（obl_launch 和 optstrt）进行配置。
密钥必须严格按照顺序写入，如果出现以下情况，将产生总线错误同时触发
hardfault 中断，直到再次复位后，才能重新对 flash 选项字节进行解锁：
l 向 flash_optkey 寄存器写入错误的密钥值；
l 解锁顺序错误，先向 flash_optkey 寄存器写入密钥 2：0x7c31 1f5a；
l 解锁后继续向 flash_optkey 寄存器写入任意值（包括密钥）；
l 在对 flash_cr 寄存器解锁前，向 flash_optkey 寄存器写入任意值
（包括密钥）。 将 flash_cr 寄存器中的 optlock 位重新置 1，能恢复 flash 选项字节的写保护锁定状态。通过复位，也能使 flash 选项字节恢复成写保护锁定状态。当 flash_cr 寄存器恢复成写保护锁定状态时(lock 位置 1)，flash 选项字节也会被恢复成写保护锁定状态，optlock 位将自动置 1。
5.3.3.3flash 掉电控制位解锁
复位后，flash 访问控制寄存器（flash_acr）中的 pden 位将处于写保护锁定状态，该位用于控制 flash 的掉电。要配置 pden 位，就要先进行解锁操作。pden 位的解锁操作，必须严格按照以下步骤顺序执行：
1） 先解锁 flash 控制寄存器 flash_cr（详见：flash 控制寄存器解锁）；
2） 向 flash_pdkey 寄存器写入密钥 1：0x57d9 3ab6；
3） 向 flash_pdkey 寄存器写入密钥 2：0x9a2d 827c；
4） 检查 flash_cr 寄存器中的 pdlock 位，当该位清 0 时，表明 pden 位已解锁。解锁完成后，可对 pden 位进行配置。密钥必须严格按照顺序写入，如果出现以下情况，将产生总线错误同时触发 hardfault 中断，直到再次复位后，才能重新对 pden 位进行解锁操作：
l 向 flash_pdkey 寄存器写入错误的密钥值；
l 解锁顺序错误，先向 flash_pdkey 寄存器写入密钥 2：0x9a2d 827c；
l 解锁后继续向 flash_pdkey 寄存器写入任意值（包括密钥）；
l 在对 flash_cr 寄存器解锁前，向 flash_pdkey 寄存器写入任意值（包括密钥）。 将 flash_cr 寄存器中的 pdlock 位重新置 1，能恢复 pden 位的写保护锁定状态。另外通过复位，也能使 pden 位恢复成写保护锁定状态。当 flash_cr 寄存器恢复成写保护锁定状态时(lock 位置 1)，pden 位也会被恢复成写保护锁定状态，pdlock 位将自动置 1。
5.3.4flash 功耗管理
为进一步降低系统功耗，当程序仅在 sram 中运行时，通过将 flash 访问控制 寄存器（flash_acr）中的 pden 位置 1，能使 flash 进入 power down 状态。在配置 pden 位前，要先进行解锁操作，解锁步骤详见：flash 掉电控制位解锁。flash处于power down状态时，可通过配置pden位清0，使flash从power down 状态恢复成上电状态。
注意： flash 恢复成上电状态后，需等待 10μs 才允许对 flash 进行操作。
当进入 stop 或 standby 模式时，flash 将自动进入 power down 状态。如果在进入低功耗模式前，flash 处于上电状态，则在唤醒后 flash 将自动上电。
英飞凌与Picovoice携手合作，将人工智能引入新一代物联网设备
消火栓系统压力控制器的选用
西门子中世华业产品6SL3120-2TE13-0AD0：解读其在智能能源管理中的作用
国内oled龙头企业有哪些?oled显示屏概念股一览
采用DIALOG蓝牙智能芯片，小米手环如虎添翼
华大电子MCU CIU32L061x8存储器（Flash）一
FTTH,FTTH系统结构组成详细介绍
车载式大气走航环境监测站应用解决方案
意法半导体最新推出MasterGaN器件
从摘机电话线获取150mW隔离电源
基于RTD传感器和IC温度传感器的温度测量方法
中国未来5-15年在能源电力领域的走向以及发展！
vb语言程序简单设计实例（5款vb语言设计程序分享）
训练大语言模型带来的硬件挑战
美国银行的大部分工作岗位将会被机器人取代
如何预防NVMe存储的四大问题
码垛机器人在农业生产方面的应用
Google编程风格指南(三）
CPU的核心数、线程数的关系和区别
打破刻板印象，南卡骨传导耳机再铸行业新高度
5.1 简介
flash 存储器连接在 ahb 总线上，由 flash 控制器统一管理，可对存储器执行取指、读取、编程和擦除操作，并具有安全访问机制和读写保护等功能。
沈阳芯硕科技有限公司是华大电子代理商，有技术问题可咨询我们。
5.2flash 主要特性
l 高达 128 kb 的用户存储空间
- 块大小：16 kb
- 页大小：512 字节
l 32-bits 位宽读取/写入
l 支持页擦除、块擦除、批量擦除
l 可配置 3 种读出保护等级（rdp）
l 2 块可配置的代码读出保护区域（pcrop）
l 2 块可配置的写入保护区域（wrp）
l 可配置大小的用户安全存储区域
5.3flash 功能描述
5.3.1flash 存储器组成
flash 存储器按 32-bits 位宽执行读写访问，可存储指令和数据。
flash 存储器的组成如下：
l user flash 区：用于存储用户程序和数据，存储空间为 128kb，分成 8 个
块（block），每个块包含 32 个页（page），每页 512 字节；
l system memory 区：用于存储 bootloader 和算法 api，存储空间为14kb；
l option bytes 区：用于存储外设和存储器保护配置的选项字节；
l engineer 区：用于存储 uid、ts/bgr 校准值；
l otp 区：一次性可编程区域，共 512 字节。
5.3.2flash 读取访问等待周期
flash 存储器连接在 ahb 总线上，读取 flash 时使用 hclk 时钟。当 hclk 的 时钟频率超出 flash 存储器的工作频率时，就会造成数据读取错误，此时需要插入等待周期。 flash 访问控制寄存器（flash_acr）中的 latency[1:0]位域，用于配置 flash 读取访问的等待周期，hclk 时钟频率与 flash 读取访问等待周期的对应关系见 下表。
为保证 flash 读取访问不出现异常或错误，当要改变 hclk 的时钟频率时，必须按照特定步骤进行配置。
l 提高 hclk 频率的配置步骤：
1） 通过配置 flash_acr 寄存器中的 latency[1:0]位域，增大 flash
读取访问的等待周期；
2） 读取 latency[1:0]位域，检查等待周期已配置成功；
3） 提高 hclk 频率，可通过配置 rcc 时钟配置寄存器（rcc_cfg）
中的sysw[2:0]位域，切换更高频率的时钟源，或通过配置hpre[2:0]
位域，减小系统时钟的分频值；
4） 配置 sysw[2:0]位域后，必须对 rcc_cfg 寄存器中的 sysws[2:0]
位域进行检查，确认系统时钟已切换完成。
l 降低 hclk 频率的配置步骤：
1） 降低 hclk 频率，可通过配置 rcc 时钟配置寄存器（rcc_cfg）
中的sysw[2:0]位域，切换更低频率的时钟源，或通过配置hpre[2:0]
位域，增大系统时钟的分频值；
2） 配置 sysw[2:0]位域后，必须对 rcc_cfg 寄存器中的 sysws[2:0]
位域进行检查，确认系统时钟已切换完成；
3） 通过 flash_acr 寄存器中的 latency[1:0]位域，减小 flash 读取
访问的等待周期；
4） 读取 latency[1:0]位域，检查等待周期已配置成功。
5.3.3flash 解锁
为防止 flash 被意外修改，增加了保护措施，必须向特定寄存器写入密钥，才能解锁相关功能的配置权限。
5.3.3.1flash 控制寄存器解锁
复位后，flash 控制寄存器（flash_cr）将处于写保护锁定状态。要配置
flash_cr 寄存器，需首先进行解锁操作。
flash_cr 寄存器的解锁操作，必须严格按照以下步骤顺序执行：
1） 向 flash_crkey 寄存器写入密钥 1：0xe57a 1a85；
2） 向 flash_crkey 寄存器写入密钥 2：0x7c6e 8391；
3） 检查 flash_cr 寄存器中的 lock 位，当该位清 0 时，表明 flash_cr 寄存器已解锁。解锁完成后，才能对 flash_cr 寄存器进行配置。
注意：flash_cr 寄存器中与选项字节相关的控制位（obl_launch 和 optstrt）， 必须在 flash 选项字节解锁后才能进行配置。 密钥必须严格按照顺序写入，如果出现以下情况，将产生总线错误同时触发 hardfault 中断，直到再次复位后，才能重新对 flash_cr 寄存器进行解锁：
l 向 flash_crkey 寄存器写入错误的密钥值；
l 解锁顺序错误，先向 flash_crkey 寄存器写入密钥 2：0x7c6e 8391；
l 解锁后继续向 flash_crkey 寄存器写入任意值（包括密钥）。
将 flash_cr 寄存器中的 lock 位重新置 1，能恢复 flash_cr 寄存器的写 保护锁定状态。通过复位，也能使 flash_cr 寄存器恢复成写保护锁定状态。
注意：当 flash_sr 寄存器中的 bsy 位为 1 时，对 flash_cr 寄存器的写入将无效，flash_sr 寄存器中的 peserr 标志将置 1，flash 当前操作将继续正常执行。
5.3.3.2flash 选项字节解锁
复位后，flash 选项字节处于写保护锁定状态，所有的选项字节加载寄存器、
flash_cr 寄存器中的 obl_launch 位和 optstrt 位，都会被写保护。要对选项字节进行更新，就先要进行解锁操作。
flash 选项字节的解锁操作，必须严格按照以下步骤顺序执行：
1） 先解锁 flash 控制寄存器 flash_cr（详见： flash 控制寄存器解锁）；
2） 向 flash_optkey 寄存器写入密钥 1：0x6a89 4d7b；
3） 向 flash_optkey 寄存器写入密钥 2：0x7c31 1f5a；
4） 检查 flash_cr 寄存器中的 optlock 位，当该位清 0 时，表明 flash选项字节已解锁。解锁完成后，才能对选项字节加载寄存器及其控制位（obl_launch 和 optstrt）进行配置。
密钥必须严格按照顺序写入，如果出现以下情况，将产生总线错误同时触发
hardfault 中断，直到再次复位后，才能重新对 flash 选项字节进行解锁：
l 向 flash_optkey 寄存器写入错误的密钥值；
l 解锁顺序错误，先向 flash_optkey 寄存器写入密钥 2：0x7c31 1f5a；
l 解锁后继续向 flash_optkey 寄存器写入任意值（包括密钥）；
l 在对 flash_cr 寄存器解锁前，向 flash_optkey 寄存器写入任意值
（包括密钥）。 将 flash_cr 寄存器中的 optlock 位重新置 1，能恢复 flash 选项字节的写保护锁定状态。通过复位，也能使 flash 选项字节恢复成写保护锁定状态。当 flash_cr 寄存器恢复成写保护锁定状态时(lock 位置 1)，flash 选项字节也会被恢复成写保护锁定状态，optlock 位将自动置 1。
5.3.3.3flash 掉电控制位解锁
复位后，flash 访问控制寄存器（flash_acr）中的 pden 位将处于写保护锁定状态，该位用于控制 flash 的掉电。要配置 pden 位，就要先进行解锁操作。pden 位的解锁操作，必须严格按照以下步骤顺序执行：
1） 先解锁 flash 控制寄存器 flash_cr（详见：flash 控制寄存器解锁）；
2） 向 flash_pdkey 寄存器写入密钥 1：0x57d9 3ab6；
3） 向 flash_pdkey 寄存器写入密钥 2：0x9a2d 827c；
4） 检查 flash_cr 寄存器中的 pdlock 位，当该位清 0 时，表明 pden 位已解锁。解锁完成后，可对 pden 位进行配置。密钥必须严格按照顺序写入，如果出现以下情况，将产生总线错误同时触发 hardfault 中断，直到再次复位后，才能重新对 pden 位进行解锁操作：
l 向 flash_pdkey 寄存器写入错误的密钥值；
l 解锁顺序错误，先向 flash_pdkey 寄存器写入密钥 2：0x9a2d 827c；
l 解锁后继续向 flash_pdkey 寄存器写入任意值（包括密钥）；
l 在对 flash_cr 寄存器解锁前，向 flash_pdkey 寄存器写入任意值（包括密钥）。 将 flash_cr 寄存器中的 pdlock 位重新置 1，能恢复 pden 位的写保护锁定状态。另外通过复位，也能使 pden 位恢复成写保护锁定状态。当 flash_cr 寄存器恢复成写保护锁定状态时(lock 位置 1)，pden 位也会被恢复成写保护锁定状态，pdlock 位将自动置 1。
5.3.4flash 功耗管理
为进一步降低系统功耗，当程序仅在 sram 中运行时，通过将 flash 访问控制 寄存器（flash_acr）中的 pden 位置 1，能使 flash 进入 power down 状态。在配置 pden 位前，要先进行解锁操作，解锁步骤详见：flash 掉电控制位解锁。flash处于power down状态时，可通过配置pden位清0，使flash从power down 状态恢复成上电状态。
注意： flash 恢复成上电状态后，需等待 10μs 才允许对 flash 进行操作。
当进入 stop 或 standby 模式时，flash 将自动进入 power down 状态。如果在进入低功耗模式前，flash 处于上电状态，则在唤醒后 flash 将自动上电。
英飞凌与Picovoice携手合作，将人工智能引入新一代物联网设备
消火栓系统压力控制器的选用
西门子中世华业产品6SL3120-2TE13-0AD0：解读其在智能能源管理中的作用
国内oled龙头企业有哪些?oled显示屏概念股一览
采用DIALOG蓝牙智能芯片，小米手环如虎添翼
华大电子MCU CIU32L061x8存储器（Flash）一
FTTH,FTTH系统结构组成详细介绍
车载式大气走航环境监测站应用解决方案
意法半导体最新推出MasterGaN器件
从摘机电话线获取150mW隔离电源
基于RTD传感器和IC温度传感器的温度测量方法
中国未来5-15年在能源电力领域的走向以及发展！
vb语言程序简单设计实例（5款vb语言设计程序分享）
训练大语言模型带来的硬件挑战
美国银行的大部分工作岗位将会被机器人取代
如何预防NVMe存储的四大问题
码垛机器人在农业生产方面的应用
Google编程风格指南(三）
CPU的核心数、线程数的关系和区别
打破刻板印象，南卡骨传导耳机再铸行业新高度