飞兆半导体推出具有高可靠性和卓越开关性能IGBT
高功率和高频率感应加热（ih）家用电器需要更低的传导损耗和卓越的开关性能，以便在ih电饭煲、台式电磁炉和基于逆变器的微波炉等应用中实现更高的效率和系统可靠性。 飞兆半导体的高电压场截止阳极短路（shorted anode） trench igbt可针对这些设计挑战为设计人员提供经济实惠且高效的解决方案。
该款全新产品系列针对软开关应用，在1000v至1400v的电压范围内，利用固有的反并联二极管进行了优化。 随着超越典型非穿通型（npt） igbt技术的不断进步，飞兆半导体的阳极短路硅技术可提供更低的饱和电压，比额定功率相同的npt-trench igbt要低12%以上。 此外，如果与竞争对手的igbt产品相比，该产品系列的拖尾电流速率要低20%以上。 由于具有这些丰富特性，飞兆半导体先进的igbt因而能提供更佳的热性能、更高的效率以及更低的功耗。
特点与优势：
高速开关频率范围： 10至50 khz
业界最低的拖尾电流，可改进开关损耗（fga20s140p）
与现有的npt trench igbt相比，饱和压降更低
电位计检测抗噪能力强健，可提高可靠性
高温稳定特性： tj（max） = 175 ºc
符合rohs标准（无铅引脚电镀）
封装和报价信息（1，000片起订，价格单位：美元）
按请求提供样品。交货期：收到订单后8-12周内
采用to-3p 3l封装：
1250v fga20s125p $2.03
1250v fga25s125p $2.03
1300v fga30s120p $5.25
1400v fga20s140p $2.25
采用to-247 3l封装：
1300v fgh30s130p $3.40
飞兆半导体的场截止阳极短路trench igbt提供业界领先的技术，以应对在当今设计中遇到的能效和形状因数挑战。 这些应用都是飞兆半导体节能型功率模拟ic、功率分立式器件和光电子器件解决方案的一部分，而这些解决方案可在功率敏感型应用中实现最大限度的节能。
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