华虹宏力“半导体结构及其形成方法”专利获授权
上海华宏利半导体制造有限公司就“半导体结构及其形成方法”申请专利，申请公告日为11月17日，申请公告号为cn113921595b。
专利摘要据半导体结构及其形成的方法中，半导体结构包括如下：第一夹杂着离子的电路板；位于基板内的深谷结构、机关和深深的凹槽结构位于上方的杂质区域切断，位于阻挡掺杂区上的第一外延层，第一外延层内的体区，至少一部分是所述深谷位于结构的上部。位于本体内的发源区，本体区露出发源区的部分表面。栅极位于第一外延层，与深谷结构相邻的基板上，栅极接触本体区和发源区暴露的表面。位于衬底底部的集电区，第2面露在集电区表面，集电区与深槽结构底部之间有集电区的间隔。通过这种半导体结构，绝缘栅晶体管的性能得到了提高。
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