SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证
完成与高通最新移动处理器的兼容性验证，正式开始向客户提供产品
将通过加强与高通的合作，实现智能手机发展为ai时代的核心应用。
韩国首尔2023年10月25日 /美通社/ -- sk海力士25日宣布， 公司开始推进lpddr5t(low power double data rate 5 turbo) dram的商用化*，其目前移动dram中可实现9.6gbps（每秒9.6千兆）最高速度。sk海力士表示，最近获得了将lpddr5t dram适用于美国高通技术公司（qualcomm technologies，以下简称高通）最新第三代骁龙8移动平台（snapdragon®8 gen 3 mobile platform）的业内首次认证。
sk hynix lpddr5t
*lpddr（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的dram规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有lp（low power，低功耗），最新规格为第七代lpddr（5x），按1-2-3-4-4x-5-5x的顺序开发而成。lpddr5t是sk海力士业内首次开发的产品，是第八代lpddr6正式问世之前，将第七代lpddr（5x）性能进一步升级的产品。
自今年1月开发出lpddr5t dram以来，sk海力士与高通进行了兼容性验证合作。两家公司在结合lpddr5t dram和高通的最新第三代骁龙8移动平台的智能手机上进行验证得出，两款产品都发挥出了优秀的性能。
sk海力士强调：公司的lpddr5t dram成功完成与全球权威通信芯片公司高通等主要移动ap（application processor）供应商的性能验证，今后移动设备中lpddr5t dram的布局将迅速扩大。
公司计划向客户提供以lpddr5t dram单品芯片结合而成的16gb（千兆）容量套装产品。该产品的数据处理速度为每秒77gb，其相当于1秒内可处理15部全高清（full-hd，fhd）级电影。
另外，lpddr5t dram可在国际半导体标准化组织（jedec）规定的最低电压标准范围1.01~1.12v（伏特）下运行，在功耗方面也具备了优势。
sk海力士技术团队在开发该产品的过程中，采用了hkmg（high-k metal gate）*工艺，在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的lpddr6 dram问世前，lpddr5t dram在移动dram市场上占据很大比重。
*hkmg：在dram晶体管内的绝缘膜上采用高k栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。sk海力士于去年11月在移动dram上全球首次采用了hkmg工艺。
高通技术公司产品管理高级副总裁（senior vice president of product management）ziad asghar表示：第三代骁龙8产品可以低功耗下无延迟驱动生成型ai为基础的大语言模型（llm）和大视觉模型（lvm）。骁龙移动平台和sk海力士的最高速移动dram相结合，智能手机用户将能够体验惊人的ai功能。
sk海力士dram商品企划担当副社长柳成洙表示：lpddr5t dram成功满足了全球客户对超高性能移动dram需求，对此感到很高兴。
柳副社长还补充道：预计今后智能手机将成长为驱动ai技术的核心应用。为此，需要通过移动dram持续提高智能手机的性能，公司将继续加强与高通的合作，努力提高该领域的技术能力。
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sk hynix lpddr5t
*lpddr（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的dram规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有lp（low power，低功耗），最新规格为第七代lpddr（5x），按1-2-3-4-4x-5-5x的顺序开发而成。lpddr5t是sk海力士业内首次开发的产品，是第八代lpddr6正式问世之前，将第七代lpddr（5x）性能进一步升级的产品。
自今年1月开发出lpddr5t dram以来，sk海力士与高通进行了兼容性验证合作。两家公司在结合lpddr5t dram和高通的最新第三代骁龙8移动平台的智能手机上进行验证得出，两款产品都发挥出了优秀的性能。
sk海力士强调：公司的lpddr5t dram成功完成与全球权威通信芯片公司高通等主要移动ap（application processor）供应商的性能验证，今后移动设备中lpddr5t dram的布局将迅速扩大。
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另外，lpddr5t dram可在国际半导体标准化组织（jedec）规定的最低电压标准范围1.01~1.12v（伏特）下运行，在功耗方面也具备了优势。
sk海力士技术团队在开发该产品的过程中，采用了hkmg（high-k metal gate）*工艺，在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的lpddr6 dram问世前，lpddr5t dram在移动dram市场上占据很大比重。
*hkmg：在dram晶体管内的绝缘膜上采用高k栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。sk海力士于去年11月在移动dram上全球首次采用了hkmg工艺。
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sk海力士dram商品企划担当副社长柳成洙表示：lpddr5t dram成功满足了全球客户对超高性能移动dram需求，对此感到很高兴。
柳副社长还补充道：预计今后智能手机将成长为驱动ai技术的核心应用。为此，需要通过移动dram持续提高智能手机的性能，公司将继续加强与高通的合作，努力提高该领域的技术能力。
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