回顾联芸科技的NAND DSP研究成果
此前，联芸科技技术副总裁许伟博士在2018年8月9日（美国时间）的flash controller design options 论坛，向全球存储精英分享联芸科技在ssd主控芯片方面的“self-adaptive nand flash dsp” 核心技术和最新研究成果。
随着市场对低成本存储的追求和技术的进步，闪存技术从 slc 时代已经跨入 3d tlc 时代，然而 3d tlc 技术发展已经不能满足市场对更低成本nand颗粒的追求，qlc技术成为未来 nand 颗粒技术发展一个重要方向。qlc 技术的突破，使得 nand 颗粒位密度增长了25%，但受到 nand 闪存工艺、阈值电压分布以及使用的不同环境的影响，如何延长 qlc 技术 nand 颗粒的使用寿命和增加其可靠性、稳定性，这对 nand 闪存控制器提出了巨大的挑战。
联芸科技凭借其在 nand 闪存特性研究方面多年累积以及和国际颗粒原厂保持的良好合作关系，针对 nand 颗粒阈值电压分布特性及 nand 颗粒对温度敏感特性研究，结合联芸科技自主开发的ldpc（low desity parity check code，低密度奇偶校验码）技术与联芸科技自适配 nand dsp 技术，全面提升 nand 闪存颗粒的可控性、稳定性和使用寿命，并缩短读取响应时间，提升性能。
在读取 nand 数据时，非最优的读取电压会明显增加 nand 的 bre（bit error ratio，比特错误率），非优化的软数据读取降低了 ldpc 软解码余量。此外，导致 nand 闪存数据发送错误的还有多种因素，包括：流程差异、擦写次数、数据保留时间、读取干扰、高要求工作温度等，直接挑战着 nand 闪存数据的完整性和可靠性。联芸科技自主研发的nand闪存自适配 dsp（digital signal process，数字信号处理）技术被应用在动态跟踪 nand 特性中。除了来自 nand 分析的大数据的静态 nand 建模之外，该dsp算法能够即时学习 nand 读取的 nand 阈值电压分布，并动态调整 nand 特性。
联芸科技 self-adaptive nand dsp 的自适配技术，能快速提升 ldpc 硬解码和软解码的数据错误恢复能力，收集读取数据块的更多信息，并不断的在先前失败的 ldpc 解码中学习，利用时间和空间局部性来学习其他 nand 读取数据块的纠错能力。
联芸科技 mas090x 系列固态硬盘主控芯片，脱胎于 jmicron（智微科技）在高速接口方面的技术实力，并弥补了 jmicron 在 nand 颗粒适配及纠错能力的不足，全新推出的一款具备国际竞争力的 ssd 主控芯片。该芯片在系统兼容性方面全面领先国际竞争对手，在 ldcp 纠错能力以及nand 颗粒适配方面也可与国际一流厂商进行对标 pk。该芯片采用极具竞争力的单 cpu+ 硬件协处理设计技术，在提升其可靠性、稳定性、性能的同时，为客户定制开发提供巨大的便利性。联芸科技将持续在高端存储控制芯片及解决方案方面投入资金，为客户带来极具竞争力的全系列 ssd 主控芯片及解决方案。
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