高功率密度快充及PD适配器电源结构解析

这种变换器输出电压决定原边半桥的上管工作的导通时间,原边半桥的下管工作在cot固定导通时间,其导通时间由谐振频率所决定,非对称反激变换器电路结构如图1所示,若输出整流二极管换为功率mosfet,则称为同步整流。非对称反激变换器工作的波形如图2所示。
相关元件符号和物理量的规定:
s1:原边半桥高端功率管,上管
s2:原边半桥低端功率管,下管
dr;次级整流二极管
cr:原边串联谐振电容
lm:变压器原边激磁电感
lr:变压器原边漏感
sr;次级同步整流功率管
np:变压器原边绕组匝数
ns:变压器次级绕组匝数
n:变压器的匝比,n = np/ ns
vsw:半桥连接的开关接点电压,也是s2的d、s两端电压
ilm:变压器原边激磁电感的电流
ilr:变压器原边漏感的电流
idr:次级整流二极管的电流
(a)非对称反激变换器
(b)非对称同步整流反激变换器
图1:非对称反激变换器电路结构
图2:非对称反激变换器工作波形
工作原理分析
非对称反激变换器的一个开关周期可分为6个工作模式,分别分析如下。
1、模式1:t0-t1
开关状态:s1处于导通,s2处于截止,dr处于截止。
变压器lm和lr的电流从0开始增加,谐振电容cr充电,没有能量传输到次级的输出负载。
t1时刻,s1关断。
图3:模式1的等效电路
2、模式2:t1-t2
开关状态:s1处于截止,s2处于截止,dr处于截止。
t1时刻,s1关断,(coss1+coss2)和(lr+lm)谐振,coss1充电,coss2放电,直到t2时刻,coss1的电压充电到vin,coss2的电压放电到0。
图4:模式2的等效电路
coss2的电压vsw放电到0后,其体内寄生二极管ds2导通,将其二端电压箝位到0。
3、模式3:t2-t3
开关状态:s2处于导通,s1处于截止,dr处于截止。
t2时刻,ds2导通箝位。在t2之后某一时刻开通s2,此时由于ds2导通,s2的vds电压为0,因此s2是零电压开通zvs。
(a)模式3的ds2导通
(b)模式3的s2 zvs开通
图5:模式3的等效电路
这个阶段开始时,谐振电容的电压vcr会稍微增加,次级绕组ns的正偏电压也会增加,但其电压仍低于输出电压vo,因此次级整流二极管dr不会导通。
在t3时刻,次级绕组的电压vns增加到输出电压vo,因此次级整流二极管dr导通。
4、模式4:t3-t4
开关状态:s2处于导通,s1处于截止,dr处于导通
在t3时刻,dr导通,输出电压反射到原边绕组np,其电压变为:
vnp = -nvo
此时,lm和lr分开,形成各自的回路:
(1)lm电感储存的能量通过次级绕组,向输出负载传输。
(2)lr、cr和电压源-nvo串联谐振,满足下面条件:
谐振电容cr反射到次级输出端,次级电流波形为正弦波,其频率就是变压器的寄生电感和谐振电容cr所决定,这部分能量也通过次级绕组,向输出负载传输。
因此,次级整流二极管的电流idr为ilr和ilm的电流差值:
idr = (ilm–ilr)*n
在这个阶段,lr和cr串联谐振,ilr过0后,反向继续谐振;然后,经过一段时间, ilm也过0,反向激磁继续增加。
(a)模式4的dr导通
(b)模式4的ilr过0后反向增加
(c)模式4的ilm过0后反向增加
图6:模式4的等效电路
在t4时刻,ilr和ilm的电流相等:
ilr=ilm
次级绕组的电流减小到0,dr关断,zcs关断,同时,在t4时刻,s2关断。
5、模式5:t4-t5
开关状态:s1处于截止,s2处于截止,sr处于截止。
t4时刻,同时关断sr和s2,(coss1+coss2)和(lr+lm)谐振,coss1放电,coss2充电,直到t5时刻,coss2的电压充电到vin,coss1的电压放电到0。
图7:模式5 的等效电路
coss1的电压放电到0后,s1的体内寄生二极管ds1导通,将其二端电压箝位到0。
6、模式6:t5-t6
开关状态:s1处于导通,s2处于截止,sr处于截止。
t5时刻,ds1开通,lr和lm的电流相等且同时反向激磁,增加到反向电流的最大值;然后在正向电压的作用下,从反向电流的最大值逐渐减小,在t6时刻其电流减小到0,然后继续正向增加,进入下一个同期。
在t5之后某一时刻开通s1,此时由于ds1导通,s1的vds电压为0,因此s1是零电压开通zvs。
(a)模式6的ds1导通
(b)模式6的s1 zvs导通
(c)模式6的lm正向激磁
图8:模式6的等效电路
图2:非对称反激变换器波形

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