低热量化学气相工艺制备氮化硅
低热量化学气相工艺制备氮化硅
美国aviza工艺公司开发出一种低温化学气相沉积工艺(lpcvd)，可在500℃左右进行
氮化硅沉积。这个工艺使用一种特有的前驱物，它可使sin薄膜避免氯或碳的污染，还不致
产生等离子体划痕。air liqcade公司可提供这种前驱物，它与aviza公司共同开发这一工艺。
这一工艺的优点有：化学试剂消耗少，因而成本低，可进行交叉流动，装炉量随意，最
多可装50片。
lpcvd的工作温度低于500~c，这是一项技术突破，因为现代先进的电子器件的直径小
于90rim，因而对低热量有严格要求。
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