化合物半导体+大直径晶圆制造，Aeluma光电探测器开始送样
据麦姆斯咨询报道，aeluma（美国中级场外交易市场otcqb代码：almu）是一家专注于为激光雷达（lidar）、通信和传感提供可扩展、经济、高效的光电探测器技术的半导体公司。该公司近日宣布，已开始送样其大直径晶圆兼容的化合物半导体光电探测器，首批包括某汽车tier-1供应商。
aeluma工程样品采用大直径晶圆制造平台生产，该平台与大规模cmos代工制造工艺兼容。该tier-1汽车供应商预计将对样品进行性能验证评估。
aeluma最近还宣布了一种新型光电探测器的性能突破。该探测器可实现小于100皮安（pa）的暗电流，以及高于90%的量子效率。并且，这一突破是在大直径晶圆衬底平台上实现的，从而使每片晶圆能够生产更多的探测器芯片。更高的单片晶圆芯片数量，加上高度自动化的制造，直接带来了更低的芯片成本，得以更经济地生产光电探测器阵列。
不同的是，现有的高性能化合物半导体光电探测器是在小尺寸晶圆衬底上通过低产量、特定工艺制造的。这些光电探测器价格昂贵，并且无法扩展到大众市场应用所需要的规模。aeluma的平台将大直径晶圆制造与高性能化合物半导体相结合，为大规模市场应用提供了可能，并且，在不牺牲器件性能的前提下大幅降低了成本。
两全其美
激光雷达应用通常采用硅单光子雪崩二极管（spad）和铟镓砷（ingaas）光电二极管。虽然spad可以在大尺寸晶圆上生产，但它们的效率通常低于ingaas光电二极管。此外，它们通常在905 nm至940 nm波长范围内工作，需要低激光功率以确保人眼安全。这反过来又限制了激光雷达的探测范围。提高该波段光电探测器的效率，将提高激光雷达的性能。
ingaas光电二极管可以在900 nm到1700 nm的范围内工作，包括用于远距离激光雷达的1550 nm区域。1550 nm激光功率明显更高，并且可以保持人眼安全，从而能够在更远的距离实现更高的分辨率。
因此，aeluma的光电探测器技术跨越了900 nm至1700 nm的范围，既可以提高1550 nm器件的成本效益，还能够提高905 nm至940 nm器件的性能。
关于aeluma
aeluma专注于开发传感和通信应用的新型光电器件。aeluma开创了一种在大直径晶圆上利用高性能化合物半导体材料制造光电探测器的技术。该技术有望提高器件性能的同时，提供具有成本效益的大规模制造，性能和成本对未来的激光雷达及其他传感器应用都至关重要。aeluma正在其位于美国加利福尼亚州戈莱塔的总部开发一种简化的商业模式，其总部拥有最先进的制造洁净室（9000平方英尺）。
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aeluma工程样品采用大直径晶圆制造平台生产，该平台与大规模cmos代工制造工艺兼容。该tier-1汽车供应商预计将对样品进行性能验证评估。
aeluma最近还宣布了一种新型光电探测器的性能突破。该探测器可实现小于100皮安（pa）的暗电流，以及高于90%的量子效率。并且，这一突破是在大直径晶圆衬底平台上实现的，从而使每片晶圆能够生产更多的探测器芯片。更高的单片晶圆芯片数量，加上高度自动化的制造，直接带来了更低的芯片成本，得以更经济地生产光电探测器阵列。
不同的是，现有的高性能化合物半导体光电探测器是在小尺寸晶圆衬底上通过低产量、特定工艺制造的。这些光电探测器价格昂贵，并且无法扩展到大众市场应用所需要的规模。aeluma的平台将大直径晶圆制造与高性能化合物半导体相结合，为大规模市场应用提供了可能，并且，在不牺牲器件性能的前提下大幅降低了成本。
两全其美
激光雷达应用通常采用硅单光子雪崩二极管（spad）和铟镓砷（ingaas）光电二极管。虽然spad可以在大尺寸晶圆上生产，但它们的效率通常低于ingaas光电二极管。此外，它们通常在905 nm至940 nm波长范围内工作，需要低激光功率以确保人眼安全。这反过来又限制了激光雷达的探测范围。提高该波段光电探测器的效率，将提高激光雷达的性能。
ingaas光电二极管可以在900 nm到1700 nm的范围内工作，包括用于远距离激光雷达的1550 nm区域。1550 nm激光功率明显更高，并且可以保持人眼安全，从而能够在更远的距离实现更高的分辨率。
因此，aeluma的光电探测器技术跨越了900 nm至1700 nm的范围，既可以提高1550 nm器件的成本效益，还能够提高905 nm至940 nm器件的性能。
关于aeluma
aeluma专注于开发传感和通信应用的新型光电器件。aeluma开创了一种在大直径晶圆上利用高性能化合物半导体材料制造光电探测器的技术。该技术有望提高器件性能的同时，提供具有成本效益的大规模制造，性能和成本对未来的激光雷达及其他传感器应用都至关重要。aeluma正在其位于美国加利福尼亚州戈莱塔的总部开发一种简化的商业模式，其总部拥有最先进的制造洁净室（9000平方英尺）。
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