讲解MOS管驱动设计细节
mos管驱动设计一般认为mosfet是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在mos的g、s两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动mos变的不那么简单。
如果不考虑纹波和emi等要求的话，mos管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此mos管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。
对于一个mos管，如果把gs之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么mos管开启的速度就会越快。与此类似，如果把mos管的gs电压从开启电压降到0v的时间越短，那么mos管关断的速度也就越快。由此我们可以知道，如果想在更短的时间内把gs电压拉高或者拉低，就要给mos管栅极更大的瞬间驱动电流。
大家常用的pwm芯片输出直接驱动mos或者用三极管放大后再驱动mos的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。
比较好的方法是使用专用的mosfet驱动芯片，这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容ttl电平输入，mosfet驱动芯片的内部结构。
需要注意
因为驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和mos管的结电容会组成一个lc振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到mos管栅极的话，在pwm波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致mos管急剧发热甚至爆炸，一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻，降低lc振荡电路的q值，使震荡迅速衰减掉。
因为mos管栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或者干扰都可能导致mos管误导通，所以建议在mos管g s之间并联一个10k的电阻以降低输入阻抗。
如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿mos管的话，可以在gs之间再并联一个18v左右的tvs瞬态抑制二极管，tvs可以认为是一个反应速度很快的稳压管，其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦，可以用来吸收瞬间的干扰脉冲。
mos管驱动电路参考
布线设计
mos管驱动线路的环路面积要尽可能小，否则可能会引入外来的电磁干扰，驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的vcc和gnd引脚，否则走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。
常见驱动波形
1、如果出现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧。有很大一部分时间管子都工作在线性区，损耗极其巨大。
一般这种情况是布线太长电感太大，栅极电阻都救不了你，只能重新画板子。
2、高频振铃严重的毁容方波。在上升下降沿震荡严重，这种情况管子一般瞬间死掉，跟上一个情况差不多，进线性区。原因也类似，主要是布线的问题。又胖又圆的肥猪波。上升下降沿极其缓慢，这是因为阻抗不匹配导致的。芯片驱动能力太差或者栅极电阻太大。
果断换大电流的驱动芯片，栅极电阻往小调调就ok了。
打肿脸充正弦的生于方波他们家的三角波。驱动电路阻抗超大发了。此乃管子必杀波。解决方法同上。
3、大众脸型，人见人爱的方波。高低电平分明，电平这时候可以叫电平了，因为它平。边沿陡峭，开关速度快，损耗很小，略有震荡，可以接受，管子进不了线性区，强迫症的话可以适当调大栅极电阻。
4、方方正正的帅哥波，无振铃无尖峰无线性损耗的三无产品，这就是最完美的波形了。
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需要注意
因为驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和mos管的结电容会组成一个lc振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到mos管栅极的话，在pwm波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致mos管急剧发热甚至爆炸，一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻，降低lc振荡电路的q值，使震荡迅速衰减掉。
因为mos管栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或者干扰都可能导致mos管误导通，所以建议在mos管g s之间并联一个10k的电阻以降低输入阻抗。
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布线设计
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常见驱动波形
1、如果出现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧。有很大一部分时间管子都工作在线性区，损耗极其巨大。
一般这种情况是布线太长电感太大，栅极电阻都救不了你，只能重新画板子。
2、高频振铃严重的毁容方波。在上升下降沿震荡严重，这种情况管子一般瞬间死掉，跟上一个情况差不多，进线性区。原因也类似，主要是布线的问题。又胖又圆的肥猪波。上升下降沿极其缓慢，这是因为阻抗不匹配导致的。芯片驱动能力太差或者栅极电阻太大。
果断换大电流的驱动芯片，栅极电阻往小调调就ok了。
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4、方方正正的帅哥波，无振铃无尖峰无线性损耗的三无产品，这就是最完美的波形了。
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