MOSFET与BJT之间有何不同？MOSFET和BJT之间哪个更好？
金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）和双极结型晶体管（bjt）是两种封装形式各异的晶体管，不熟悉电子产品的人常常难以决定应该在他们的开发项目中使用哪一种。工程师介绍，虽然mosfet和bjt都是晶体管，但它们的工作方式不同，表现出不同的行为，因此它们的使用方式不同。
一、什么是mosfet？
金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）是一种场效应晶体管（fet），由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在mosfet中，漏极由栅极端的电压控制，因此mosfet是一种电压控制器件。施加在栅极上的电压控制流入漏极的电流量。mosfet有两种类型，“p沟道”和“n沟道”。这两种类型都可以处于增强或耗尽模式（见图1）。这意味着总共有四种不同类型的mosfet。
在p沟道mosfet中，源极和漏极端子由p型半导体制成。同样，在n沟道mosfet中，源极和漏极端子由n型半导体制成。栅极端子本身由金属制成，并使用金属氧化物与源极和漏极端子分离。这种绝缘水平源于低功耗，是此类晶体管的主要优势。这通常会看到mosfet用于低功率设备或作为构建模块来降低功耗。
耗尽模式：当栅极端电压低时，通道呈现最大电导。由于栅极端电压为正或负，沟道电导率降低。
增强模式：当栅极端电压较低时，除非向栅极端施加更多电压，否则器件不导通。
二、什么是bjt？
双极结型晶体管（bjt）是一种电流驱动器件（相比之下，mosfet是电压驱动的），广泛用作放大器、振荡器或开关等。bjt具有三个引脚（基极、集电极和发射极）和两个结：p结和n结。
bjt有两种类型——pnp和npn。每种类型都有一个大的集电极元件和一个大的发射极元件，它们以相同的方式掺杂。在这些结构之间是一小层称为“基础”的其他掺杂剂。电流流入pnp的集电极并流出发射极。在npn中，极性相反，电流流入发射极并流出集电极。在任何一种情况下，基极中的电流方向都与集电极相同。
从根本上说，bjt晶体管的操作是由其基极端子上的电流决定的。例如，小的基极电流等于小的集电极电流。bjt的输出电流始终等于输入电流乘以一个称为“增益”的系数，通常是基极电流的10-20倍。
三、mosfet与bjt之间有何不同？
mosfet和bjt之间有很多不同之处：
（1）mosfet（电压控制）是金属氧化物半导体，而bjt（电流控制）是双极结型晶体管。
（2）虽然两者都有三个终端，但它们有所不同。mosfet具有源极、漏极和栅极，而bjt具有基极、发射极和集电极。
（3）mosfet是高功率应用的理想选择，而bjt更常用于低电流应用。
（4）bjt取决于其基极端子上的电流，而mosfet取决于氧化物绝缘栅电极上的电压。
（5）mosfet的结构本质上比bjt的结构更复杂。
四、mosfet和bjt之间哪个更好？
mosfet和bjt都具有独特的特性和各自的优缺点。但是，我们不能说哪个“更好”，因为这个问题非常主观。这个问题没有一个直接而明确的答案。
在选择在项目中使用哪个时，必须考虑许多不同的因素才能做出决定。其中包括功率电平、驱动电压、效率、成本和开关速度等——这是了解您的项目真正有帮助的地方！
通常，mosfet在电源中的效率通常更高。例如，在负载可变且电源有限的电池供电设备中，使用bjt将是一个坏主意。但是，如果bjt用于为具有可预测电流消耗的东西（例如led）供电，那么这很好，因为可以将基极-发射极电流设置为led电流的一小部分以获得更高的效率。
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一、什么是mosfet？
金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）是一种场效应晶体管（fet），由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在mosfet中，漏极由栅极端的电压控制，因此mosfet是一种电压控制器件。施加在栅极上的电压控制流入漏极的电流量。mosfet有两种类型，“p沟道”和“n沟道”。这两种类型都可以处于增强或耗尽模式（见图1）。这意味着总共有四种不同类型的mosfet。
在p沟道mosfet中，源极和漏极端子由p型半导体制成。同样，在n沟道mosfet中，源极和漏极端子由n型半导体制成。栅极端子本身由金属制成，并使用金属氧化物与源极和漏极端子分离。这种绝缘水平源于低功耗，是此类晶体管的主要优势。这通常会看到mosfet用于低功率设备或作为构建模块来降低功耗。
耗尽模式：当栅极端电压低时，通道呈现最大电导。由于栅极端电压为正或负，沟道电导率降低。
增强模式：当栅极端电压较低时，除非向栅极端施加更多电压，否则器件不导通。
二、什么是bjt？
双极结型晶体管（bjt）是一种电流驱动器件（相比之下，mosfet是电压驱动的），广泛用作放大器、振荡器或开关等。bjt具有三个引脚（基极、集电极和发射极）和两个结：p结和n结。
bjt有两种类型——pnp和npn。每种类型都有一个大的集电极元件和一个大的发射极元件，它们以相同的方式掺杂。在这些结构之间是一小层称为“基础”的其他掺杂剂。电流流入pnp的集电极并流出发射极。在npn中，极性相反，电流流入发射极并流出集电极。在任何一种情况下，基极中的电流方向都与集电极相同。
从根本上说，bjt晶体管的操作是由其基极端子上的电流决定的。例如，小的基极电流等于小的集电极电流。bjt的输出电流始终等于输入电流乘以一个称为“增益”的系数，通常是基极电流的10-20倍。
三、mosfet与bjt之间有何不同？
mosfet和bjt之间有很多不同之处：
（1）mosfet（电压控制）是金属氧化物半导体，而bjt（电流控制）是双极结型晶体管。
（2）虽然两者都有三个终端，但它们有所不同。mosfet具有源极、漏极和栅极，而bjt具有基极、发射极和集电极。
（3）mosfet是高功率应用的理想选择，而bjt更常用于低电流应用。
（4）bjt取决于其基极端子上的电流，而mosfet取决于氧化物绝缘栅电极上的电压。
（5）mosfet的结构本质上比bjt的结构更复杂。
四、mosfet和bjt之间哪个更好？
mosfet和bjt都具有独特的特性和各自的优缺点。但是，我们不能说哪个“更好”，因为这个问题非常主观。这个问题没有一个直接而明确的答案。
在选择在项目中使用哪个时，必须考虑许多不同的因素才能做出决定。其中包括功率电平、驱动电压、效率、成本和开关速度等——这是了解您的项目真正有帮助的地方！
通常，mosfet在电源中的效率通常更高。例如，在负载可变且电源有限的电池供电设备中，使用bjt将是一个坏主意。但是，如果bjt用于为具有可预测电流消耗的东西（例如led）供电，那么这很好，因为可以将基极-发射极电流设置为led电流的一小部分以获得更高的效率。
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