关于高速电路相关知识分析
信号完整性（signalintegrity）：就是指电路系统中信号的质量，如果在要求的时间内，信号能不失真地从源端传送到接收端，我们就称该信号是完整的。
传输线（transmissionline）：由两个具有一定长度的导体组成回路的连接线，我们称之为传输线，有时也被称为延迟线。
集总电路（lumpedcircuit）：在一般的电路分析中，电路的所有参数，如阻抗、容抗、感抗都集中于空间的各个点上，各个元件上，各点之间的信号是瞬间传递的，这种理想化的电路模型称为集总电路。
分布式系统（distributedsystem）：实际的电路情况是各种参数分布于电路所在空间的各处，当这种分散性造成的信号延迟时间与信号本身的变化时间相比高速pcb基础理论及内存仿真技术si仿真小组2002-10-252002-10-259已不能忽略的时侯，整个信号通道是带有电阻、电容、电感的复杂网络，这就是一个典型的分布参数系统。
上升下降时间（rise/falltime）：信号从低电平跳变为高电平所需要的时间，通常是量度上升/下降沿在10%-90%电压幅值之间的持续时间，记为tr。
截止频率（kneefrequency）：这是表征数字电路中集中了大部分能量的频率范围（0.5/tr），记为fknee，一般认为超过这个频率的能量对数字信号的传输没有任何影响。
特征阻抗（characteristicimpedance）：交流信号在传输线上传播中的每一步遇到不变的瞬间阻抗就被称为特征阻抗，也称为浪涌阻抗，记为z0。可以通过传输线上输入电压对输入电流的比率值（v/i）来表示。
传输延迟（propagationdelay）：指信号在传输线上的传播延时，与线长和信号传播速度有关，记为tpd。微带线（micro-strip）：指只有一边存在参考平面的传输线。
带状线（strip-line）：指两边都有参考平面的传输线。
趋肤效应（skineffect）：指当信号频率提高时，流动电荷会渐渐向传输线的边缘靠近，甚至中间将没有电流通过。与此类似的还有集束效应，现象是电流密集区域集中在导体的内侧。反射（reflection）：指由于阻抗不匹配而造成的信号能量的不完全吸收，发射的程度可以有反射系数ρ表示。
过冲/下冲（overshoot/undershoot）：过冲就是指接收信号的第一个峰值或谷值超过设定电压——对于上升沿是指第一个峰值超过最高电压；对于下降沿是指第一个谷值超过最低电压，而下冲就是指第二个谷值或峰值。振荡：在一个时钟周期中，反复的出现过冲和下冲，我们就称之为振荡。振荡根据表现形式可分为振铃（ringing）和环绕振荡，振铃为欠阻尼振荡，而环绕振荡为过阻尼振荡。
匹配（termination）：指为了消除反射而通过添加电阻或电容器件来达到阻抗一致的效果。因为通常采用在源端或终端，所以也称为端接。串扰：串扰是指当信号在传输线上传播时，因电磁耦合对相邻的传输线产生的不期望的电压噪声干扰，这种干扰是由于传输线之间的互感和互容引起的。
信号回流（returncurrent）：指伴随信号传播的返回电流。高速pcb基础理论及内存仿真技术si仿真小组2002-10-252002-10-2510
自屏蔽（selfshielding）：信号在传输线上传播时，靠大电容耦合抑制电场，靠小电感耦合抑制磁场来维持低电抗的方法称为自屏蔽。
前向串扰（forwardcrosstalk）：指干扰源对牺牲源的接收端产生的第一次干扰，也称为远端干扰（far-endcrosstalk）。
后向串扰（forwardcrosstalk）：指干扰源对牺牲源的发送端产生的第一次干扰，也称为近端干扰（near-endcrosstalk）。
屏蔽效率（se）：是对屏蔽的适用性进行评估的一个参数，单位为分贝。吸收损耗：吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩的时候能量损耗的数量。反射损耗：反射损耗是指由于屏蔽的内部反射导致的能量损耗的数量，他随着波阻和屏蔽阻抗的比率而变化。
校正因子：表示屏蔽效率下降的情况的参数，由于屏蔽物吸收效率不高，其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量增加，所以校正因子是个负数，而且只使用于薄屏蔽罩中存在多个反射的情况分析。
差模emi：传输线上电流从驱动端流到接收端的时候和它回流之间耦合产生的emi，就叫做差模emi。
共模emi：当两条或者多条传输线以相同的相位和方向从驱动端输出到接收端的时候，就会产生共模辐射，
既共模emi。发射带宽：即最高频率发射带宽，当数字集成电路从逻辑高低之间转换的时候，输出端产生的方波信号频率并不是导致emi的唯一成分。该方波中包含频率范围更宽广的正弦谐波分量，这些正弦谐波分量是工程师所关心的emi频率成分，而最高的emi频率也称为emi的发射带宽。
电磁环境：存在于给定场所的所有电磁现象的总和。电磁骚扰：任何能引起装置、设备或系统性能降低或者对有生命或者无生命物质产生损害作用的电磁现象。
电磁干扰：电磁骚扰引起设备、传输通道和系统性能的下降。
电磁兼容性：设备或者系统在电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。系统内干扰：系统中出现由本系统内部电磁骚扰引起的电磁干扰。
系统间干扰：有其他系统产生的电磁干扰对一个系统造成的电磁干扰。
静电放电：具有不同静电电位的物体相互接近或者接触时候而引起的电荷转高速pcb基础理论及内存仿真技术si仿真小组2002-10-252002-10-2511移。建立时间（setuptime）：建立时间就是接收器件需要数据提前于时钟沿稳定存在于输入端的时间。
保持时间（holdtime）：为了成功的锁存一个信号到接收端，器件必须要求数据信号在被时钟沿触发后继续保持一段时间，以确保数据被正确的操作。这个最小的时间就是我们说的保持时间。
飞行时间（flighttime）：指信号从驱动端传输到接收端，并达到一定的电平之间的延时，和传输延迟和上升时间有关。
tco：是指信号在器件内部的所有延迟总和，一般包括逻辑延迟和缓冲延迟。
缓冲延迟（bufferdelay）：指信号经过缓冲器达到有效的电压输出所需要的时间时钟抖动（jitter）：时钟误差是指两个时钟周期之间存在的差值，这个误差是在时钟发生器内部产生的，和后期布线没有关系。
时钟偏移（skew）：是指由同样的时钟产生的多个子时钟信号之间的延时差异。假时钟：假时钟是指时钟越过阈值（threshold）无意识地改变了状态（有时在vil或vih之间）。通常由于过分的下冲（undershoot）或串扰（crosstalk）引起。电源完整性（powerintegrity）：指电路系统中的电源和地的质量。
同步开关噪声（simultaneousswitchnoise）：指当器件处于开关状态，产生瞬间变化的电流（di/dt），在经过回流途径上存在的电感时，形成交流压降，从而引起噪声，简称ssn。也称为δi噪声。
地弹（groundbounce）：指由于封装电感而引起地平面的波动，造成芯片地和系统地不一致的现象。同样，如果是由于封装电感引起的芯片和系统电源差异，就称为电源反弹（powerbounce）。
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集总电路（lumpedcircuit）：在一般的电路分析中，电路的所有参数，如阻抗、容抗、感抗都集中于空间的各个点上，各个元件上，各点之间的信号是瞬间传递的，这种理想化的电路模型称为集总电路。
分布式系统（distributedsystem）：实际的电路情况是各种参数分布于电路所在空间的各处，当这种分散性造成的信号延迟时间与信号本身的变化时间相比高速pcb基础理论及内存仿真技术si仿真小组2002-10-252002-10-259已不能忽略的时侯，整个信号通道是带有电阻、电容、电感的复杂网络，这就是一个典型的分布参数系统。
上升下降时间（rise/falltime）：信号从低电平跳变为高电平所需要的时间，通常是量度上升/下降沿在10%-90%电压幅值之间的持续时间，记为tr。
截止频率（kneefrequency）：这是表征数字电路中集中了大部分能量的频率范围（0.5/tr），记为fknee，一般认为超过这个频率的能量对数字信号的传输没有任何影响。
特征阻抗（characteristicimpedance）：交流信号在传输线上传播中的每一步遇到不变的瞬间阻抗就被称为特征阻抗，也称为浪涌阻抗，记为z0。可以通过传输线上输入电压对输入电流的比率值（v/i）来表示。
传输延迟（propagationdelay）：指信号在传输线上的传播延时，与线长和信号传播速度有关，记为tpd。微带线（micro-strip）：指只有一边存在参考平面的传输线。
带状线（strip-line）：指两边都有参考平面的传输线。
趋肤效应（skineffect）：指当信号频率提高时，流动电荷会渐渐向传输线的边缘靠近，甚至中间将没有电流通过。与此类似的还有集束效应，现象是电流密集区域集中在导体的内侧。反射（reflection）：指由于阻抗不匹配而造成的信号能量的不完全吸收，发射的程度可以有反射系数ρ表示。
过冲/下冲（overshoot/undershoot）：过冲就是指接收信号的第一个峰值或谷值超过设定电压——对于上升沿是指第一个峰值超过最高电压；对于下降沿是指第一个谷值超过最低电压，而下冲就是指第二个谷值或峰值。振荡：在一个时钟周期中，反复的出现过冲和下冲，我们就称之为振荡。振荡根据表现形式可分为振铃（ringing）和环绕振荡，振铃为欠阻尼振荡，而环绕振荡为过阻尼振荡。
匹配（termination）：指为了消除反射而通过添加电阻或电容器件来达到阻抗一致的效果。因为通常采用在源端或终端，所以也称为端接。串扰：串扰是指当信号在传输线上传播时，因电磁耦合对相邻的传输线产生的不期望的电压噪声干扰，这种干扰是由于传输线之间的互感和互容引起的。
信号回流（returncurrent）：指伴随信号传播的返回电流。高速pcb基础理论及内存仿真技术si仿真小组2002-10-252002-10-2510
自屏蔽（selfshielding）：信号在传输线上传播时，靠大电容耦合抑制电场，靠小电感耦合抑制磁场来维持低电抗的方法称为自屏蔽。
前向串扰（forwardcrosstalk）：指干扰源对牺牲源的接收端产生的第一次干扰，也称为远端干扰（far-endcrosstalk）。
后向串扰（forwardcrosstalk）：指干扰源对牺牲源的发送端产生的第一次干扰，也称为近端干扰（near-endcrosstalk）。
屏蔽效率（se）：是对屏蔽的适用性进行评估的一个参数，单位为分贝。吸收损耗：吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩的时候能量损耗的数量。反射损耗：反射损耗是指由于屏蔽的内部反射导致的能量损耗的数量，他随着波阻和屏蔽阻抗的比率而变化。
校正因子：表示屏蔽效率下降的情况的参数，由于屏蔽物吸收效率不高，其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量增加，所以校正因子是个负数，而且只使用于薄屏蔽罩中存在多个反射的情况分析。
差模emi：传输线上电流从驱动端流到接收端的时候和它回流之间耦合产生的emi，就叫做差模emi。
共模emi：当两条或者多条传输线以相同的相位和方向从驱动端输出到接收端的时候，就会产生共模辐射，
既共模emi。发射带宽：即最高频率发射带宽，当数字集成电路从逻辑高低之间转换的时候，输出端产生的方波信号频率并不是导致emi的唯一成分。该方波中包含频率范围更宽广的正弦谐波分量，这些正弦谐波分量是工程师所关心的emi频率成分，而最高的emi频率也称为emi的发射带宽。
电磁环境：存在于给定场所的所有电磁现象的总和。电磁骚扰：任何能引起装置、设备或系统性能降低或者对有生命或者无生命物质产生损害作用的电磁现象。
电磁干扰：电磁骚扰引起设备、传输通道和系统性能的下降。
电磁兼容性：设备或者系统在电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。系统内干扰：系统中出现由本系统内部电磁骚扰引起的电磁干扰。
系统间干扰：有其他系统产生的电磁干扰对一个系统造成的电磁干扰。
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tco：是指信号在器件内部的所有延迟总和，一般包括逻辑延迟和缓冲延迟。
缓冲延迟（bufferdelay）：指信号经过缓冲器达到有效的电压输出所需要的时间时钟抖动（jitter）：时钟误差是指两个时钟周期之间存在的差值，这个误差是在时钟发生器内部产生的，和后期布线没有关系。
时钟偏移（skew）：是指由同样的时钟产生的多个子时钟信号之间的延时差异。假时钟：假时钟是指时钟越过阈值（threshold）无意识地改变了状态（有时在vil或vih之间）。通常由于过分的下冲（undershoot）或串扰（crosstalk）引起。电源完整性（powerintegrity）：指电路系统中的电源和地的质量。
同步开关噪声（simultaneousswitchnoise）：指当器件处于开关状态，产生瞬间变化的电流（di/dt），在经过回流途径上存在的电感时，形成交流压降，从而引起噪声，简称ssn。也称为δi噪声。
地弹（groundbounce）：指由于封装电感而引起地平面的波动，造成芯片地和系统地不一致的现象。同样，如果是由于封装电感引起的芯片和系统电源差异，就称为电源反弹（powerbounce）。
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