Western Digital和Kioxia宣布BiCS5 112层3D NAND
western digital和kioxia宣布成功开发了最新一代的3d nand闪存。他们的第五代bics 3d nand已以512 gbit tlc部件的形式开始生产，但要到今年下半年才能增加到“有意义的商业量”。计划用于这一代的其他部件包括1tbit tlc和1.33 tbit qlc管芯。
bics5设计使用112层，而bics4使用96层。bics5是来自wdc / kioxia的第二代，将使用字符串堆栈进行构建，并且可能被构造为两个堆栈，每个堆栈约56个活动层。尽管与上一代产品相比，112层仅增加了约16％，但两家公司仍声称密度增加了40％（按每晶圆位的数量，将112l 512gb tlc与96l 256gb tlc进行了比较）。允许缩小水平尺寸的设计。据说存储器阵列本身的密度大约高20％。内存接口速度已提高了50％，应该达到1.2gt / s，与大多数96l竞争对手相同。
bics5零件将于本季度开始提供样品。随着下半年产量的增加，使用bics5的ssd和其他产品最早可能会在2020年底左右投放市场。western digital先前曾表示，他们打算让bics5过渡所需的capex低于64l到96l过渡，从而扭转了世代更新价格不断上涨的趋势。这意味着向112l的迁移可能会比上一次过渡还要慢，而且96l bics4将在相当长的一段时间内成为其产量的主要部分。
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