SiZ700DT PowerPAIR双芯片不对称功率MOSF
vishay intertechnology, inc.宣布，为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边mosfet如何节省dc/dc转换器的空间和成本，该公司在其网站上新增了一个流媒体视频，展示siz700dt powerpair双芯片不对称功率mosfet解决方案。
传统上，设计者要在笔记本电脑、vrm、电源模块、图形卡、服务器和游戏机，以及工业系统的dc/dc转换中实现系统电源、pol、低电流dc/dc和同步降压转换应用中所需的低导通电阻和高电流，就不得不使用两片分立mosfet。
新视频展示了vishay的siz700dt powerpair方案如何通过将一个低边和高边mosfet组合到小尺寸6×3.7mm的器件中，减少dc/dc转换器中电源架构所需的空间，增加转换器的功能，开发更小的终端产品，同时保持低导通电阻和最大电流。
siz700dt的低边mosfet在10v下的导通电阻为5.8mω，在+70℃下的最大电流为13.9a，高边mosfet在10v下的导通电阻为8.6mω，在+70℃下的最大电流为10.5a。这些指标使设计者能够使用一个器件完成设计，节约方案的成本和空间，包括在两个分立mosfet之间的间隙和标注面积。 两个mosfet已经在powerpair封装内部进行连接，使得布局变得更加简洁，同时减少pcb印制线的寄生电感，提高效率。此外，siz700dt的输入引脚排列在一侧，输出引脚排列在另一侧，可进一步简化布局。
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siz700dt的低边mosfet在10v下的导通电阻为5.8mω，在+70℃下的最大电流为13.9a，高边mosfet在10v下的导通电阻为8.6mω，在+70℃下的最大电流为10.5a。这些指标使设计者能够使用一个器件完成设计，节约方案的成本和空间，包括在两个分立mosfet之间的间隙和标注面积。 两个mosfet已经在powerpair封装内部进行连接，使得布局变得更加简洁，同时减少pcb印制线的寄生电感，提高效率。此外，siz700dt的输入引脚排列在一侧，输出引脚排列在另一侧，可进一步简化布局。
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