一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关
un 最佳响应——同步整流芯片u7710 &u7711
最近几年，功率mosfet的性能得到了显著提高，而这类器件的价格降低很快。由于mosfet的开态电阻变得很低，在许多低输出电压应用电路里都利用了同步整流技术。同步整流芯片u7710 &u7711就是一款用于替代flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率mosfet以提升系统效率。
01
同步整流芯片u7710 &u7711 支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(dcm) 和准谐振工作模式(qr)。芯片集成有vdd 欠压保护功能和vdd电压钳位。芯片内置vdd 高压供电模块，无需vdd辅助绕组供电，减低了系统成本。
在原边mosfet导通期间，同步整流芯片u7710 &u7711内部7.1v稳压器将从其drain管脚抽取电流向vdd 供电，以使vdd 电压恒定在7.1v左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uf的陶瓷电容作为vdd电容。
02
系统开机以后，同步整流芯片u7710 &u7711内部高压ldo从drain管脚抽取电流向vdd电容供电。当vdd电压低于欠压保护阈值后（3.1v 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流mosfet进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流mosfet的体二极管实现续流。当vdd电压高于vdd开启电压后（4v典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流mosfet只在副边续流期间才能开通。
在内部同步整流 mosfet 开通瞬间，同步整流芯片u7710 &u7711漏-源(drain-source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路(leb)。在leb时间（约1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流mosfet，直至消隐时间结束。
同步整流电源能够在很大程度上降低功耗和提高效率。在相同的机架内，先进的同步整流电源的功率是传统非同步电源功率的两倍。深圳银联宝科技的同步整流芯片u7710 &u7711能够极大地帮助瞬态负载调节，拥有更加稳定的控制环路特性！
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01
同步整流芯片u7710 &u7711 支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(dcm) 和准谐振工作模式(qr)。芯片集成有vdd 欠压保护功能和vdd电压钳位。芯片内置vdd 高压供电模块，无需vdd辅助绕组供电，减低了系统成本。
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在内部同步整流 mosfet 开通瞬间，同步整流芯片u7710 &u7711漏-源(drain-source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路(leb)。在leb时间（约1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流mosfet，直至消隐时间结束。
同步整流电源能够在很大程度上降低功耗和提高效率。在相同的机架内，先进的同步整流电源的功率是传统非同步电源功率的两倍。深圳银联宝科技的同步整流芯片u7710 &u7711能够极大地帮助瞬态负载调节，拥有更加稳定的控制环路特性！
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