关于IS61WV204816ALL高速异步SRAM
issi is61wv204816all是高速，32m位静态ram，组织为2048k字乘16位。它是使用issi的高性能cmos技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。当cs＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过cmos输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和outputenable输入，可以轻松扩展存储器。激活的lowwriteenable（we＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（ub＃）和低字节（lb＃）。
is61wv204816all采用jedec标准的48引脚tsop（typei）和48引脚微型bga（6mmx8mm）封装。issi代理宇芯电子支持产品应用解决方案及例程等技术支持。
功能说明
sram是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。sram支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
待机模式
取消选择时（cs＃高），设备进入待机模式。输入和输出引脚（i/o0-15）处于高阻抗状态。此模式下的cmos输入将最大程度地节省功率。
写模式
所选芯片（cs＃）和写入使能（we＃）输入为低电平时的写操作问题。输入和输出引脚（i/o0-15）处于数据输入模式。即使oe＃为low，在此期间输出缓冲区也会关闭。ub＃和lb＃启用字节写入功能。通过使lb＃为低电平，来自i/o引脚（i/o0至i/o7）的数据被写入地址引脚上指定的位置。且ub＃为低电平时，来自i/o引脚（i/o8至i/o15）的数据被写入该位置。
读取模式
选择芯片时（cs＃为低电平），写使能（we＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当oe＃为low时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对i/o引脚进行任何输入。ub＃和lb＃启用字节读取功能。通过启用lb＃low，来自内存的数据将出现在i/o0-7上。且ub＃为low时，来自内存的数据将出现在i/o8-15上。
在read模式下，可以通过将oe＃拉高来关闭输出缓冲器。在这种模式下，内部设备作为read进行操作，但i/o处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
上电初始化
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。当vdd达到稳定水平时，器件需要150us的tpu（上电时间）来完成其自初始化过程。初始化完成后，设备即可正常运行。
fqj
了解无线路由器、网状网络和向Wi-Fi 6的过渡
TD/CMMB市场结出国际果，直播星意外收获500万
Raychem瑞侃RW-200线束热缩管产品描述
消息称LG化学明年拟将中国电池产能提高一倍以上
锂电池检测电路的改进方案
关于IS61WV204816ALL高速异步SRAM
卡拉OK人声增效电路
为什么选择华为云云耀云服务器 L 实例作为轻量应用服务器？
开放式交流/直流电源的电路板设计
小模型也能进行上下文学习！字节&华东师大联合提出自进化文本识别器
碳化硅电源的设计注意事项
Gartner发布2024年十大战略技术趋势
法大大入选DSSC认证企业名单
由南方测绘设计的广东省卫星导航定位服务站方案通过专家评审
iphone13发布会后多久可以买
微软小冰团队公开了人工智能小冰的商业化进展
消防智能照明模块设定有哪些规定
华为5G手机的供应链合作伙伴已经逐步敲定,双鸿将成为散热模块的独家方案商
信号完整性工程设计中常遇到的5类典型问题
缓存一致性验证 – AMBA CHI中的新功能
is61wv204816all采用jedec标准的48引脚tsop（typei）和48引脚微型bga（6mmx8mm）封装。issi代理宇芯电子支持产品应用解决方案及例程等技术支持。
功能说明
sram是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。sram支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
待机模式
取消选择时（cs＃高），设备进入待机模式。输入和输出引脚（i/o0-15）处于高阻抗状态。此模式下的cmos输入将最大程度地节省功率。
写模式
所选芯片（cs＃）和写入使能（we＃）输入为低电平时的写操作问题。输入和输出引脚（i/o0-15）处于数据输入模式。即使oe＃为low，在此期间输出缓冲区也会关闭。ub＃和lb＃启用字节写入功能。通过使lb＃为低电平，来自i/o引脚（i/o0至i/o7）的数据被写入地址引脚上指定的位置。且ub＃为低电平时，来自i/o引脚（i/o8至i/o15）的数据被写入该位置。
读取模式
选择芯片时（cs＃为低电平），写使能（we＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当oe＃为low时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对i/o引脚进行任何输入。ub＃和lb＃启用字节读取功能。通过启用lb＃low，来自内存的数据将出现在i/o0-7上。且ub＃为low时，来自内存的数据将出现在i/o8-15上。
在read模式下，可以通过将oe＃拉高来关闭输出缓冲器。在这种模式下，内部设备作为read进行操作，但i/o处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
上电初始化
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。当vdd达到稳定水平时，器件需要150us的tpu（上电时间）来完成其自初始化过程。初始化完成后，设备即可正常运行。
fqj
了解无线路由器、网状网络和向Wi-Fi 6的过渡
TD/CMMB市场结出国际果，直播星意外收获500万
Raychem瑞侃RW-200线束热缩管产品描述
消息称LG化学明年拟将中国电池产能提高一倍以上
锂电池检测电路的改进方案
关于IS61WV204816ALL高速异步SRAM
卡拉OK人声增效电路
为什么选择华为云云耀云服务器 L 实例作为轻量应用服务器？
开放式交流/直流电源的电路板设计
小模型也能进行上下文学习！字节&华东师大联合提出自进化文本识别器
碳化硅电源的设计注意事项
Gartner发布2024年十大战略技术趋势
法大大入选DSSC认证企业名单
由南方测绘设计的广东省卫星导航定位服务站方案通过专家评审
iphone13发布会后多久可以买
微软小冰团队公开了人工智能小冰的商业化进展
消防智能照明模块设定有哪些规定
华为5G手机的供应链合作伙伴已经逐步敲定,双鸿将成为散热模块的独家方案商
信号完整性工程设计中常遇到的5类典型问题
缓存一致性验证 – AMBA CHI中的新功能