用电压控制频率的lc振荡电路
要改变lc振荡电路之振荡频率的方法时,可以改变线圈或者电容器的数值,若将此电容器以变容二极体取代的话,以电压值改变容量就可以使振荡频率产生变化。这样的结构称为vco(voltage controlled oscillator)电路,由於采用容量变化量较大的变容二极体,所以能组成振荡频率变化量宽广之振荡电路。
●vco电路(1)
图23-1之电路系柯尔必兹振荡电路,二个可变电容器以变容二极体取代之,变容二极体1sv100(东芝)系am调谐用之元件,容量变化范围由20pf~400pf,因此,容量的变化比为cmax/cmin=20,振荡频率的变化范围就可以制作得很宽广,但是变容二极体是半导体元件,所以在特性上会有些误差,故在使用之前要别特性相似之变容二极体。至於线圈则使用10k
型之线圈基座,在一次侧绕6圈,二次侧绕二圈,在共振电路上接阻尼(damping)电阻是要使振荡
频率变化时,输出电平的变化不要太大。此电路之变容二极体上的控制电压在0~12v间变化时,振荡频率大约在10mhz~70mhz间变化,但是加於变容二极体上的控制电压降低时,振荡电平就会急骤的下降,因此,实用振荡范围在20~70mhz左右。当out端子接上470ω之电阻时,於40mhz,振荡频率的电平大约有300mv,电平的变动於20~70mhz之间都在-6db之范围内。
图23-2是fm调谐器(tuner)的本地振荡电路,此电路系柯尔必兹电路的变形电路,称为克拉普( clapp)电路,至於改变频率的元件则使用背向变容二极体( pairdiode varicap)1sv55,系以直流电压控制容量。由於1sv55之内部有两个特性相近的变容二极体背向接在一起,因此,即使於q值高的电路有足以使二极体导通的大振幅信号加於其上,因为任何一个二极体都是逆向的,所以并不会导通,振荡电路就不会有异常动作的顾虑。1sv55之端子间容量变化由40pf(vr =3v)至2.5pf(vr=30v),当0~9v的控制电压加於此电路上时,振荡频率的范围在60~90mhz。
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