FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相互兼容
新型的存储器既具有ram的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。
fram的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器（ram）和非易失性存储产品的特性。当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存fram存储器不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。
fram存储器技术和标准的cmos制造工艺相兼容。铁电薄膜被放宇cmos衬层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。fm1808外部引脚fram产品有两种基本形式，一种是并行结构，一种是申行结构。并行结构的fram与容量相同的sram芯片引脚兼容，串行结构的fram与同容量的串行eeprom引脚兼容。
1.非易失性：掉电后数据能保存10年，所有产品都是工业级
2.擦写次数多5v供电的fram的擦写次数100亿次低电压的fram的擦写次数为1亿亿次
3.速度快串口总线的fram的clk的频率高达20m并且没有10ms的写的等待周期并口的访问速度70ns
4.功耗低静态电流小于10ua读写电流小于150ua.
磁性随机存储器（mram）
mram工作的基本原理与硬盘驱动器类似，与在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方商为依据，存储为0或1。它存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响，才会改变这个磁性数据。因为运用磁性荐储数据，所以mram在容童成本上有了很大的降低。但是mram的磁介质与硬盘有着很大的不同。它的磁密度要大得多，也相当薄，因此产生的自感和阻尼要少得多，这也是mram速度天天快于硬盘的重要原因。当进行读写操作时，mram中的磁极方问控制单元会使用相反的磁力方向，以使数据流水线能同时进行读写操作，不延误时间。
与面前流行的ddr或是rdram相比，mram的优势依然明显。除了非易失性外，仅在速度、功耗和体积上，mram也有较大的优势。256kb mram的通用存储器芯片，其结构是16kb×16，读写周期小于50ns，在3伏特电压下读功耗为24mw。随着技术的不断革新，芯片存储能力将进一步提升，而读写周期将控制在10ns以内，功耗将小于8mw。
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fram存储器技术和标准的cmos制造工艺相兼容。铁电薄膜被放宇cmos衬层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。fm1808外部引脚fram产品有两种基本形式，一种是并行结构，一种是申行结构。并行结构的fram与容量相同的sram芯片引脚兼容，串行结构的fram与同容量的串行eeprom引脚兼容。
1.非易失性：掉电后数据能保存10年，所有产品都是工业级
2.擦写次数多5v供电的fram的擦写次数100亿次低电压的fram的擦写次数为1亿亿次
3.速度快串口总线的fram的clk的频率高达20m并且没有10ms的写的等待周期并口的访问速度70ns
4.功耗低静态电流小于10ua读写电流小于150ua.
磁性随机存储器（mram）
mram工作的基本原理与硬盘驱动器类似，与在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方商为依据，存储为0或1。它存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响，才会改变这个磁性数据。因为运用磁性荐储数据，所以mram在容童成本上有了很大的降低。但是mram的磁介质与硬盘有着很大的不同。它的磁密度要大得多，也相当薄，因此产生的自感和阻尼要少得多，这也是mram速度天天快于硬盘的重要原因。当进行读写操作时，mram中的磁极方问控制单元会使用相反的磁力方向，以使数据流水线能同时进行读写操作，不延误时间。
与面前流行的ddr或是rdram相比，mram的优势依然明显。除了非易失性外，仅在速度、功耗和体积上，mram也有较大的优势。256kb mram的通用存储器芯片，其结构是16kb×16，读写周期小于50ns，在3伏特电压下读功耗为24mw。随着技术的不断革新，芯片存储能力将进一步提升，而读写周期将控制在10ns以内，功耗将小于8mw。
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