高频应用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6发布
新一代1200v trenchstop™ igbt6专门针对开关频率在15khz以上的硬开关和谐振拓扑而设计，可满足其对更高能效以及更低导通损耗和开关损耗的要求。
1200v trenchstop™igbt6发布了2个产品系列：优化导通损耗-s6系列和优化开关损耗-h6系列。1200v trenchstop™ igbt6 s6系列集电极-发射极饱和电压vce(sat)1.85v，导通损耗低，并且拥有与h3系列相同的低开关损耗。1200v trenchstop™ igbt6 h6系列则进一步优化开关损耗，相比于上一代h3系列，总开关损耗降低约15%。
超软快恢复反并联二极管经专门优化，可实现快速恢复，同时保持极软恢复特性，保证了卓越的emi性能。
正温度系数有助于轻松可靠地实现器件并联。优异的rg可控性可根据应用要求调节igbt开关速度。
igbt6可实现更低vce(sat)和更低开关损耗1)
关键特性
s6系列vce(sat)1.85v，导通损耗低
可在开关频率15–40khz范围内提供开关损耗和导通损耗的最佳折衷
优良的rg可控性
低电磁干扰
坚固耐用的满电流反并联二极管
主要优势
即插即用可替换上一代h3 igbt
从h3更换为to-247-3封装s6，可将系统能效提高0.15%2)
从h3更换为to-247plus 4引脚封装s6，可将系统能效提高0.2%2)
2) 基于3相t型三电平逆变器实测值
trenchstop™ igbt6经专门设计，可轻松直接替换上一代的h3 igbt。基于t型三电平逆变器的内部测试表明，将h3 igbt更换为新的to-247-3封装igbt6 s6后，系统能效可提升0.15%。将to-247-3封装h3 igbt更换为to-247plus 4引脚封装igbt6 s6后，系统能效提升0.20%。
新的1200 v trenchstop™ igbt6还包括业内独一无二的、采用to-247plus 3引脚封装和更低开关损耗的to-247plus 4引脚封装、最大电流75a的单管igbt。
产品目录
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从h3更换为to-247plus 4引脚封装s6，可将系统能效提高0.2%2)
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trenchstop™ igbt6经专门设计，可轻松直接替换上一代的h3 igbt。基于t型三电平逆变器的内部测试表明，将h3 igbt更换为新的to-247-3封装igbt6 s6后，系统能效可提升0.15%。将to-247-3封装h3 igbt更换为to-247plus 4引脚封装igbt6 s6后，系统能效提升0.20%。
新的1200 v trenchstop™ igbt6还包括业内独一无二的、采用to-247plus 3引脚封装和更低开关损耗的to-247plus 4引脚封装、最大电流75a的单管igbt。
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