专为强化谐振拓扑运作性能打造，英飞凌推出全新 650 V CoolMOS™ CFD7
【2020年10月9日，德国慕尼黑讯】在工业应用 smps 的设计上，最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑，也因此触发了对 650v击穿电压功率器件的需求。英飞凌科技股份有限公司 （fse：ifx/otcqx：ifnny） 旗下 650 v coolmos™ cfd7 产品系列即可满足上述需求。此器件适用于软切换应用的谐振拓扑，例如通信电源、服务器、太阳能和非车载的电动车充电。
新款 650 v器件扩展了声誉卓越的 coolmos cfd7 系列的电压范围，且为 coolmos cfd2 的后继产品。新款 650 v 产品可搭配 llc 和零电压切换相移全桥拓扑，较前几代产品能提供多项优势。本产品系列击穿电压提升 50 v，搭配整合高速本体二极管技术及更出色的切换效能，非常适合用于当代设计。极低的反向恢复电荷加上优异的热性能，也添加了更多优势。
开关损耗与 rds（on） 过热相依性皆大幅降低，此产品系列具备非常优异的硬式整流耐用度。由于闸极电荷 （qg） 改善，加上快速的开关性能，650 v coolmos cfd7 系列可提高整个负载范围的效率。在主要的smps应用中，相较于竞争产品，这些 mosfet提供绝佳的轻载效率，满载效率也有所提升。此外，同级最低 rds（on） 也能让客户能以极具竞争力的价格，提升 smps 的功率密度。
供货情况
to-220、to-247 及 to-247 4 引脚封装的 650 v coolmos cfd7 现已接受订购。
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