功率器件igbt工艺流程图解
功率器件igbt是insulated gate bipolar transistor的缩写。当然功率半导体元件除了igbt之外，还有mosfet、bipolar等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说igbt的工艺流程。
功率器件igbt工艺流程
1.基板
2.b+注入
使用离子注入设备
3.绝缘膜形成
通过cvd形成掩膜
4.掩膜用绝缘膜
加工
通过刻蚀和去胶处理绝缘膜
5.p+注入
使用离子注入设备
6.形成沟槽
通过刻蚀形成沟槽
7.形成绝缘膜
通过cvd形成绝缘膜
8.绝缘膜加工
通过刻蚀和去胶处理绝缘膜
9.形成emitter
电极
通过溅射或蒸镀形成电极
10.形成p+fs层
通过离子注入设备形成
p+fs层
11.形成b+
（collector）
通过离子注入设备形成b+（collector）
12.形成
collector
通过溅射或蒸镀形成 collector
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