Vishay Siliconix SQJ264EP提高DC/DC开关模式电源效率需求
日前，vishay intertechnology， inc.宣布，推出了一款符合aec-q101要求的n通道60 v mosfet--- sqj264ep，这是采用powerpak® so-8l非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的vishay siliconix sqj264ep旨在满足汽车行业节省空间以及提高dc/dc开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个5mm x 6mm的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边mosfet，低边mosfet的最大导通电阻低至8.6 mw。
与单个mosfet解决方案相比，通过将两个trenchfet® mosfet封装在一个非对称封装中，今天发布的这款汽车级器件减少了元件数量和电路板空间需求，同时提高了功率密度。此外，其控制（高边）和同步（低边）mosfet在裸片尺寸上的优化组合，可在占空比低于50％的功率转换中提供高于对称双器件的效率。
sqj264ep的通道1 mosfet在10 v时最大导通电阻为20 mw，典型栅极电荷为9.2 nc，而通道2 mosfet在10 v时的导通电阻为8.6 mw，典型栅极电荷为19.2 nc。由于没有内部连接的开关节点，sqj264ep为设计人员提供了将晶体管配置为不同拓扑的灵活性，包括同步降压或同步升压dc/dc转换器。
由于可在超过+175℃的高温环境下工作，双mosfet能够提供信息娱乐系统、显示器、led照明以及电动自行车等汽车应用所需的耐用性和可靠性。此外，与qfn单封装和双封装相比，sqj264ep的鸥翼引线允许在其引脚下方实现更好的焊料流，增强自动光学检查（aoi）能力以及更高的板级可靠性。
这些mosfet 100%通过了rg和uis测试，符合rohs要求，不含卤素。
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