NP2018DR(20v n沟道增强型MOSFET)
描述
np2018dr使用先进的海沟技术
提供优秀的rds()、低门和收费
操作门电压2.5 v。这
设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
应用程序。
一般特征
vds =20v，id =16a
rds(上)(typ) = 8.6 mΩ@vgs = 4.5 v
rds(上)(typ) = 10.7 mΩ@vgs = 2.5 v
high 功率 和 电流 处理 能力
lead 免费 产品
surface 安装 包
应用程序
pwm 应用 程序
负荷开关
封装
dfn2*2-6l-b
原理图
标记和引脚分配
dfn2 * 2-6l-b
(厚度0.55毫米)
订购信息
基于Transform的神经网络结构FlowFormer用于光流量估计
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NP2018DR(20v n沟道增强型MOSFET)
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