闪存颗粒的封装形式介绍
闪存颗粒有tsop和bga两种封装形式，前者在颗粒两侧各有一排引脚，后者则在芯片底部有大量的信号触点。它们二者有何区别？
电脑老玩家们应该还记得第一代ddr内存以及更早的sdram内存条，当时内存颗粒也普通使用tsop封装。下图是一条笔记本sdram内存条，工作频率100mhz，容量64mb：
而从ddr2开始，内存条颗粒全面转向bga封装，工作频率和容量都比过去更高。
通过上面的例子大家应该已经能够猜出，tsop并不适合高速信号传输，在存储密度上也不及bga封装。但是对于固态硬盘来说，tsop封装能够在toggle标准下实现400mt/s传输速率，足以应对sata固态硬盘的需求。
尽管tsop在理论上不够先进，但在2.5寸sata固态硬盘当中有足够的空间容纳大量的颗粒，在sata3.0接口的限制下tsop闪存性能也没有空间或者性能上的瓶颈。
东芝tr200就部分使用了tsop封装的3dtlc闪存，实惠稳定的口碑并没有受到tsop的影响。
即便是在体积更紧凑的m.2固态硬盘中，同样有使用tsop封装闪存颗粒的型号，基本都属于sata协议的产品。pcb横向宽度足够容纳它，四颗颗粒也完全填满主控的四个闪存通道，没有不良影响。
而在高速nvme固态硬盘当中，清一色都是bga封装的闪存颗粒，这是闪存读写带宽的需要，也是完整利用主控闪存通道的需要。
bga封装可以取得比tsop更高的接口速度，闪存同主控之间的数据传输速率可以提升到533mt/s以上，满足填饱pcie3.0x4接口的需求。同时，采用bga封装的闪存颗粒可以引出多个闪存通道，从而充分利用高端nvme主控的8通道优势。
作为nvme旗舰机型，东芝rd500使用了8通道tc58nc1201gst主控，搭配96层堆叠bics43dtlc闪存，取得了标杆级的性能表现。
对于未来pcie4.0固态硬盘而言，下一代铠侠（原东芝存储）bics5将提供1200mt/s的闪存接口，如此高的传输速率唯有bga封装才能实现。而入门级的sata固态硬盘或将继续沿用成熟的tsop封装形式，这也是闪存满足不同需求的体现。
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