包含寄生参数的振铃回路等效分析
rc缓冲电路常用在电源震荡节点处理，例如boost，buck电路中。
一、使用的原因
由于寄生参数的存在，开关电源电路在开关动作瞬间会产生开关振铃，振铃的存在，可能使得开关管承受的电压超过其耐压值而发生击穿，严重的还会带来传导辐射问题，导致系统不能正常工作。我们可以看到在sw节点的波形上升沿处测得的振铃尖峰。
二、包含寄生参数的振铃回路等效
展示了包含主要寄生电感和电容的buck电路，rcsnubber(r和 csnub)放置在开关节点和gnd 节点之间.
首先由于开关过程在极短时间(从数个纳秒至数十个纳秒)完成，在此过程中电感 l 的电流几乎不变，故 l 和 l p2(包括串联的 l p6)不参与振铃。其次，在振铃使得幅值超过 v i 后，上管 mosfet 的沟道已完全打开，cq 被短路，也不参与振铃。故最终的振铃回路由图 3 左虚线方框中电路组成。该电路可等效成图 3 中 lc 谐振电路，新的 l r 和 cr 为 l p1、lp5，l p3, l p4, cd 等所有参与振铃的寄生感容的复合值。通常 snubber 的 csnub 取值在数 nf 以上，在振铃频率 f r(加了 snubber 后)下的阻抗很小。以
csnub=2.2nf, f r =150mhz 为例，阻抗为 1/(j*2πfr *csnub)=-0.48jΩ。而 r 一般在数欧姆以上，故 figure 3左可进一步近似等效为 figure 3 右。
由于寄生参数的存在，开关电源电路在开关动作瞬间会产生开关振铃
三、等效模型下的snubber参数计算
故为使电路电路为阻尼振铃，r 的取值为
figure 4 给出了不同电阻值的仿真对比。仿真条件为：l p1=l p5=10nh，l p3=l p4=2nh, csnub=10nf，cd =200pf.当r等于时，电压振幅最低。
同时，csnub 越大，在 rc snubber 并联到 cr 后，实际等效的 cr 会更大，意味着同样的阻尼电阻对振 铃抑制效果越好。
四、snubber 设计方法
第一步，需要确定图 figure 3 中的 l r 和 cr。首先测量初始振铃频率。
然后在 snubber 将要放置的位置上，放置一个 cadd，如图 7 所示，因此新的可测得的振铃频率表达式为
以上两式中，仅 l r 和 cr 为未知量，故可通过两式联立，解得 l r 和cr .
第二步，选取合适的 r 值，使得 r 值近似于
注意，电阻的封装应考虑散热。使得电阻功率等级大于电阻上损耗。电阻损耗表达式为，
第三步，选择合适的电容值 csnub。如前文所说，电容值的选择是振幅抑制和控制损耗的折中。可选择以式(11)作为起点，根据损耗情况和振幅抑制效果，进行进一步的调整：增大电容抑制振幅，减小电容提高效率。
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二、包含寄生参数的振铃回路等效
展示了包含主要寄生电感和电容的buck电路，rcsnubber(r和 csnub)放置在开关节点和gnd 节点之间.
首先由于开关过程在极短时间(从数个纳秒至数十个纳秒)完成，在此过程中电感 l 的电流几乎不变，故 l 和 l p2(包括串联的 l p6)不参与振铃。其次，在振铃使得幅值超过 v i 后，上管 mosfet 的沟道已完全打开，cq 被短路，也不参与振铃。故最终的振铃回路由图 3 左虚线方框中电路组成。该电路可等效成图 3 中 lc 谐振电路，新的 l r 和 cr 为 l p1、lp5，l p3, l p4, cd 等所有参与振铃的寄生感容的复合值。通常 snubber 的 csnub 取值在数 nf 以上，在振铃频率 f r(加了 snubber 后)下的阻抗很小。以
csnub=2.2nf, f r =150mhz 为例，阻抗为 1/(j*2πfr *csnub)=-0.48jΩ。而 r 一般在数欧姆以上，故 figure 3左可进一步近似等效为 figure 3 右。
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三、等效模型下的snubber参数计算
故为使电路电路为阻尼振铃，r 的取值为
figure 4 给出了不同电阻值的仿真对比。仿真条件为：l p1=l p5=10nh，l p3=l p4=2nh, csnub=10nf，cd =200pf.当r等于时，电压振幅最低。
同时，csnub 越大，在 rc snubber 并联到 cr 后，实际等效的 cr 会更大，意味着同样的阻尼电阻对振 铃抑制效果越好。
四、snubber 设计方法
第一步，需要确定图 figure 3 中的 l r 和 cr。首先测量初始振铃频率。
然后在 snubber 将要放置的位置上，放置一个 cadd，如图 7 所示，因此新的可测得的振铃频率表达式为
以上两式中，仅 l r 和 cr 为未知量，故可通过两式联立，解得 l r 和cr .
第二步，选取合适的 r 值，使得 r 值近似于
注意，电阻的封装应考虑散热。使得电阻功率等级大于电阻上损耗。电阻损耗表达式为，
第三步，选择合适的电容值 csnub。如前文所说，电容值的选择是振幅抑制和控制损耗的折中。可选择以式(11)作为起点，根据损耗情况和振幅抑制效果，进行进一步的调整：增大电容抑制振幅，减小电容提高效率。
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